| 主权项 |
1.一种中央处理器与北桥晶片共构模组,包含:一北桥基板,其系具有一第一表面及与该第一表面相对之一第二表面,该第一表面设置有一第一区域及复数个第一焊垫,该第二表面设置有一第二区域及复数个第二焊垫,该等第一焊垫系藉由复数条导线与该等第二焊垫电连接;一中央处理器,系设置于该第一表面之该第一区域上,并与该等第一焊垫电连接,该中央处理器系藉由该等第一焊垫与该等第二焊垫电连接;以及一北桥晶片,系设置于该第二表面之该第二区域上,并与该等第二焊垫电连接。2.如申请专利范围第1项所述之中央处理器与北桥晶片共构模组,其中该北桥基板系为一凹槽向下基板(Cavity-down substrate),而该第二区域系位于该凹槽向下基板之凹槽中。3.如申请专利范围第1项所述之中央处理器与北桥晶片共构模组,其中该北桥基板系为一多层北桥基板。4.如申请专利范围第1项所述之中央处理器与北桥晶片共构模组,其中该中央处理器系利用覆晶技术设置于该第一区域上。5.如申请专利范围第1项所述之中央处理器与北桥晶片共构模组,其中该中央处理器系利用打线技术设置于该第一区域上。6.如申请专利范围第1项所述之中央处理器与北桥晶片共构模组,其中该北桥晶片系利用覆晶技术设置于该第二区域上。7.如申请专利范围第1项所述之中央处理器与北桥晶片共构模组,其中该北桥晶片系利用打线技术设置于该第二区域上。8.如申请专利范围第1项所述之中央处理器与北桥晶片共构模组,其中该中央处理器系藉由该等第一焊垫及该等第二焊垫,而与该北桥晶片电连接。9.如申请专利范围第1项所述之中央处理器与北桥晶片共构模组,更包含:复数个导电凸块,其系设置于该等第二焊垫上,该等导电凸块系用以与一电路板电连接。10.如申请专利范围第9项所述之中央处理器与北桥晶片共构模组,其中该中央处理器系藉由该等第一焊垫、该等第二焊垫及该等导电凸块,而与该电路板电连接。11.如申请专利范围第9项所述之中央处理器与北桥晶片共构模组,其中该北桥晶片系藉由该等第二焊垫及该等导电凸块,而与该电路板电连接。12.如申请专利范围第1项所述之中央处理器与北桥晶片共构模组,更包含:一散热模组,其系设置于该中央处理器上。13.如申请专利范围第12项所述之中央处理器与北桥晶片共构模组,其中该散热模组包含一风扇。14.如申请专利范围第12项所述之中央处理器与北桥晶片共构模组,其中该散热模组包含一散热鳍片。图式简单说明:图1为显示习知主机板之一示意图;图2为显示依本发明较佳实施例之中央处理器与北桥晶片共构模组之一示意图;图3A~图3B为显示依本发明较佳实施例之中央处理器与北桥晶片共构模组之一剖面图;以及图4为显示依本发明较佳实施例之中央处理器与北桥晶片共构模组之另一剖面图。 |
