| 主权项 |
1.一种用以清洁探针之末端部分的探针清洁装置,而该探针系用来测试半导体晶圆,该探针清洁装置包含:(i)一磨蚀基板层,其中该磨蚀基板层包含使探针部分上碎屑松开之材料;以及(ii)一胶黏性凝胶层,其中该胶黏性凝胶层系与该磨蚀基板之表面接触;该胶黏性凝胶层包含:(a)具有式I之以矽氧烷为底的树脂:其中:R1、R2、R3、R4与R5各选自氢、C1-6烷基、C1-6卤代烷基、乙烯基或C1-6丙烯氧烷基,而且R1、R2、R3、R4与R5中至少其中一者为乙烯基;D系选自-O-、-S-、-(CH2)rCH2-、-(CH2)rCH2O-与-O(CH2)rCH2-之二价连结基,其中,r为自0至10之整数;以及n与m各为自0至1000之整数,其中,m与n的总和不小于约10;以及(b)一种交联化合物,其系选自:(i')具有式II之化合物:其中,R1'、R2'、R3'、R4'、R5'、m'与n'各选自界定上述R1、R2、R3、R4、R5、m与n之群组,但其先决条件是式II中不存在乙烯基且式II具有至少二Si-H键;或者(ii')具有式III之化合物:其中:R6、R7、R8、R9、R10与R11各选自:氢、C1-20烷基、C1-20卤代烷基、苯基或C1-10烷基苯基,但其先决条件是式III具有至少二Si-H键;p与q各为自0至800之整数;T系选自单键、-(CH2)tCH2-、-(CH2)tCH2O-及其中,t系自0至10之整数,R系选自C1-20烷基、C1-20卤代烷基、苯基或C1-10烷基苯基;而s系自0至800之整数;以及(c)一种触媒;另外,其中:由式I之m与n値总和所界定之以矽氧烷为底的树脂的链长恒大于由式II之m'与n'値总和或式III之p、q与s値总和所界定之交联化合物的链长。2.如申请专利范围第1项之探针清洁装置,其中,该磨蚀基板层系由选自过渡金属、金属合金、复合化合物及天然材料之材料所组成的。3.如申请专利范围第2项之探针清洁装置,其中,该材料系为粉末、粒子、颗粒或晶体之形式。4.如申请专利范围第3项之探针清洁装置,其中,该磨蚀基板层系同质或异质的。5.如申请专利范围第2项之探针清洁装置,其中,该磨蚀基板层系由过渡金属所组成,该过渡金属系选自由铜、镍、钯、钨、铼、铑与钴所组成之群组。6.如申请专利范围第2项之探针清洁装置,其中,该磨蚀基板层系由金属合金所组成,该金属合金系选自由钯/钴、钼/铬与钛/钨所组成之群组。7.如申请专利范围第2项之探针清洁装置,其中,该磨蚀基板层系由复合化合物所组成,该复合化合物系选自由碳化钨、碳化矽、氮化矽、二氧化矽、氮化铝、氧化铬及氮化钛所组成之群组。8.如申请专利范围第2项之探针清洁装置,其中,该磨蚀基板层系由天然材料所组成,该天然材料系选自矽石、氧化铝、金刚石或类金刚石碳所组成之群组。9.如申请专利范围第2项之探针清洁装置,其中,该磨蚀基板层包含表面磨蚀物,其系由:表面粗糙化、镀层、蚀刻、压纹、切入基板表面、模制或泼镀其中之一或多种方法所制得的。10.一种用以清洁探针之末端部分的探针清洁装置,而该探针系用来测试半导体晶圆,该探针清洁装置包含:(i)一磨蚀基板层;以及(ii)一胶黏性凝胶层,其中该胶黏性凝胶层系与该磨蚀基板层之表面接触;该胶黏性凝胶层包含:(a)具有式I之以矽氧烷为底的树脂:其中:R1、R2、R3、R4与R5各选自氢、C1-6烷基、C1-6卤代烷基、乙烯基或C1-6丙烯氧烷基,而且R1、R2、R3、R4与R5中至少其中一者为乙烯基;D系选自-O-、-S-、-(CH2)rCH2-、-(CH2)rCH2O-与-O(CH2)rCH2-之二价键二价连结基,其中,r为自0至10之整数;以及n与m各为自0至1000之整数,其中,m与n的总和不小于约10;以及(b)一种交联化合物,其系选自:(i')具有式II之化合物:其中,R1'、R2'、R3'、R4'、R5'、m'与n'各选自界定上述R1、R2、R3、R4、R5、m与n之群组,但其先决条件是式II中不存在乙烯基且式II具有至少二Si-H键;或者(ii')具有式III之化合物:其中:R6、R7、R8、R9、R10与R11各选自:氢、C1-20烷基、C1-20卤代烷基、苯基或C1-10烷基苯基,但其先决条件是式III具有至少二Si-H键;p与q各为自0至800之整数;T系选自单键、-(CH2)rtCH2-、-(CH2)rtCH2O-或及其中,t系自0至10之整数,R系选自C1-20烷基、C1-20卤代烷基、苯基或C1-10烷基苯基;而s系自0至800之整数;以及(c)一种触媒;另外,其中:由式I之m与n値总和所界定之聚以矽氧烷为底的树脂的链长恒大于由式II之m'与n'値总和或式III之p、q与s値总和所界定之交联化合物的链长;以及该装置另包含该胶黏性凝胶层之交错区域及一磨蚀表面。11.如申请专利范围第10项之探针清洁装置,其中,该胶黏性凝胶层之交错区域位于磨蚀基板层之表面上,或者该胶黏性凝胶层之交错区域系局部埋在磨蚀基板层内。12.一种用以清洁探针之末端部分的探针清洁装置,而该探针系用来测试半导体晶圆,该探针清洁装置包含:(i)一磨蚀基板层,该磨蚀基板层具有包含树枝状图案磨蚀物之磨蚀表面;以及(ii)一胶黏性凝胶层,其中该胶黏性凝胶层系与该磨蚀基板之磨蚀表面接触;该胶黏性凝胶层包含:(a)具有式I之以矽氧烷为底的树脂:其中:R1、R2、R3、R4与R5各选自氢、C1-6烷基、C1-6卤代烷基、乙烯基或C1-6丙烯氧烷基,而且R1、R2、R3、R4与R5中至少其中一者为乙烯基;D系选自-O-、-S-、-(CH2)rCH2-、-(CH2)rCH2O-与-O(CH2)rCH2-之二价键二价连结基,其中,r为自0至10之整数;以及n与m各为自0至1000之整数,其中,m与n的总和不小于约10;以及(b)一种交联化合物,其系选自:(i')具有式II之化合物:其中,R1'、R2'、R3'、R4'、R5'、m'与n'各选自界定上述R1、R2、R3、R4、R5、m与n之群组,但其先决条件是式II中不存在乙烯基且式II具有至少二Si-H键;或者(ii')具有式III之化合物:其中:R6、R7、R8、R9、R10与R11各选自:氢、C1-20烷基、C1-20卤代烷基、苯基或C1-10烷基苯基,但其先决条件是式III具有至少二Si-H键;p与q各为自0至800之整数;T系选自单键、-(CH2)rtCH2-、-(CH2)rtCH2O-或及其中,t系自0至10之整数,R系选自C1-20烷基、C1-20卤代烷基、苯基或C1-10烷基苯基;而s系自0至800之整数;以及(c)一种触媒;另外,其中:由式I之m与n値总和所界定之聚以矽氧烷为底的树脂的链长恒大于由式II之m'与n'値总和或式III之p、q与s値总和所界定之交联化合物的链长。13.如申请专利范围第12项之探针清洁装置,其中,该树枝状图案磨蚀物与磨蚀基板为相同的材料,该材料系一过渡金属。14.如申请专利范围第13项之探针清洁装置,其中,该过渡金属系选自由铜、镍、钯、钨、铼、铑与钴所组成之群组。15.如申请专利范围第14项之探针清洁装置,其中,过渡金属系铜。16.如申请专利范围第14项之探针清洁装置,其中,该树枝状图案磨蚀物另包含一较硬材料之涂层,其中,该涂层具有与该树枝状磨蚀物相同的结构。17.如申请专利范围第16项之探针清洁装置,其中,该较硬材料系选自碳化钨、氮化钛或金刚石。18.如申请专利范围第1项之探针清洁装置,其中,式I之以矽氧烷为底的树脂之m与n的总和系自约10至1000。19.如申请专利范围第1项之探针清洁装置,其中,D系氧。20.如申请专利范围第1项之探针清洁装置,其中,R3系乙烯基。21.如申请专利范围第20项之探针清洁装置,其中,R4与R5的其中一者或二者为甲基。22.如申请专利范围第1项之探针清洁装置,其中,该交联化合物具有式II。23.如申请专利范围第22项之探针清洁装置,其中,该以矽氧烷为底的树脂具有式I,而且R3系乙烯基。24.如申请专利范围第22项之探针清洁装置,其中,式I之以矽氧烷为底的树脂之R4与R5的其中一者或二者为甲基。25.如申请专利范围第22项之探针清洁装置,其中,该以矽氧烷为底的树脂具有式I,而D系氧。26.如申请专利范围第1项之探针清洁装置,其中,该交联化合物具有式III,而且p与q之总和系自约0至800。27.如申请专利范围第26项之探针清洁装置,其中,T系一单键。28.如申请专利范围第26项之探针清洁装置,其中,R6、R7、R8、R9、R10与R11系甲基。29.一种用以清洁探针之末端部分的探针清洁装置,而该探针系用来测试半导体晶圆,该探针清洁装置包含:(i)一磨蚀基板层,该磨蚀基板层包含使探针末端部分碎屑松开之材料;以及(ii)一胶黏性凝胶层,其中,该胶黏性凝胶层系与该磨蚀基板层之表面接触;该胶黏性凝胶层包含:(a)一种包含具有黏度自约2000至10,000 cps之以矽氧烷为底之树脂的乙烯基矽氧烷;以及(b)一种包含具有黏度自约2至1000 cps之交联化合物的氢化矽氧烷,其中,该交联化合物不包含乙烯基;以及(c)一种触媒。30.如申请专利范围第29项之探针清洁装置,其中,该磨蚀基板层系由选自过渡金属、金属合金、复合化合物或天然材料之材料所组成的。31.如申请专利范围第30项之探针清洁装置,其中,该材料系为粉末、粒子、颗粒或晶体之形式。32.如申请专利范围第31项之探针清洁装置,其中,该磨蚀基板层系同质或异质的。33.如申请专利范围第30项之探针清洁装置,其中,该磨蚀基板层系由选自铜、镍、钯、钨、铼、铑与钴之过渡金属所组成。34.如申请专利范围第30项之探针清洁装置,其中,该磨蚀基板层系由选自钯/钴、钼/铬与钛/钨之金属合金所组成。35.如申请专利范围第30项之探针清洁装置,其中,该磨蚀基板层系由选自碳化钨、碳化矽、氮化矽、二氧化矽、氮化铝、氧化铬及氮化钛之复合化合物所组成。36.如申请专利范围第30项之探针清洁装置,其中,该磨蚀基板层系由选自矽石、氧化铝、金刚石或类金刚石碳之天然材料所组成。37.如申请专利范围第29项之探针清洁装置,其中,该磨蚀基板层包含表面磨蚀物,该表面磨蚀物系由:表面粗糙化、镀层、蚀刻、压纹、切入基板表面、模制或溅镀其中之一或多种方法所制得的。38.一种用以清洁探针之末端部分的探针清洁装置,而该探针系用来测试半导体晶圆,该探针清洁装置包含:(i)一磨蚀基板层;以及(ii)一胶黏性凝胶层,其中该胶黏性凝胶层系与该磨蚀基板层之表面接触;该胶黏性凝胶层包含:(a)一种包含具有黏度自约2000至10,000 cps之以矽氧烷为底之树脂的乙烯基矽氧烷;以及(b)一种包含具有黏度自约2至1000 cps之交联化合物之氢化矽氧烷,其中交联化合物不包含乙烯基;以及(c)一种触媒;以及该装置另包含该胶黏性凝胶层之交错区域及一磨蚀表面。39.如申请专利范围第38项之探针清洁装置,其中,该胶黏性凝胶层之交错区域位于磨蚀基板层之表面上,或者该胶黏性凝胶层之交错区域系局部埋在磨蚀基板层内。40.一种用以清洁探针之末端部分的探针清洁装置,而该探针系用来测试半导体晶圆,该探针清洁装置包含:(i)一磨蚀基板层,该磨蚀基板层具有包含树枝状图案磨蚀物之磨蚀表面;以及(ii)一胶黏性凝胶层,其中该胶黏性凝胶层系与该磨蚀基板之磨蚀表面接触;该胶黏性凝胶层包含:(a)一种包含具有黏度自约2000至10,000 cps之以矽氧烷为底之树脂的乙烯基矽氧烷;以及(b)一种包含具有黏度自约2至1000 cps之交联化合物之氢化矽氧烷,其中该交联化合物不包含乙烯基;以及(c)一种触媒。41.如申请专利范围第40项之探针清洁装置,其中,该树枝状图案磨蚀物与磨蚀基板为相同的材料,该材料系一过渡金属。42.如申请专利范围第41项之探针清洁装置,其中,该过渡金属系选自由铜、镍、钯、钨、铼、铑与钴所组成之群组。43.如申请专利范围第42项之探针清洁装置,其中,该过渡金属系铜。44.如申请专利范围第40项之探针清洁装置,其中,该树枝状图案磨蚀物另包含一较硬材料之涂层,其中,该涂层具有与该树枝状磨蚀物相同的结构。45.如申请专利范围第44项之探针清洁装置,其中,该较硬材料系选自碳化钨、氮化钛或金刚石。46.如申请专利范围第2项之探针清洁装置,其中,该磨蚀基板层系同质的,而且包含具有磨蚀表面之单一材料。47.一种用以清洁探针之末端部分的探针清洁装置,而该探针系用来测试半导体晶圆,该探针清洁装置包含:(i)一磨蚀基板层;以及(ii)一胶黏性凝胶层,其中该胶黏性凝胶层系与该磨蚀基板层之表面接触;该胶黏性凝胶层包含:(a)具有式I之以矽氧烷为底的树脂:其中:R1、R2、R3、R4与R5各选自氢、C1-6烷基、C1-6卤代烷基、乙烯基或C1-6丙烯氧烷基,而且R1、R2、R3、R4与R5中至少其中一者为乙烯基;D系选自-O-、-S-、-(CH2)rCH2-、-(CH2)rCH2O-与-O(CH2)rCH2-之二价键二价连结基,其中,r为自0至10之整数;以及n与m各为自0至1000之整数,其中,m与n的总和不小于约10;以及(b)一种交联化合物,其系选自:(i')具有式II之化合物:其中,R1'、R2'、R3'、R4'、R5'、m'与n'各选自界定上述R1、R2、R3、R4、R5、m与n之群组,但其先决条件是式II中不存在乙烯基且式II具有至少二Si-H键;或者(ii')具有式III之化合物:其中:R6、R7、R8、R9、R10与R11各选自:氢、C1-20烷基、C1-20卤代烷基、苯基或C1-10烷基苯基,但其先决条件是式III具有至少二Si-H键;p与q各为自0至800之整数;T系选自单键、-(CH2)rtCH2-、-(CH2)rtCH2O-或及其中,t系自0至10之整数,R系选自C1-20烷基、C1-20卤代烷基、苯基或C1-10烷基苯基;而S系自0至800之整数;以及(c)一种触媒;另外,其中:由式I之m与n値总和所界定之聚以矽氧烷为底的树脂的链长恒大于由式II之m'与n'値总和或式III之p、q与s値总和所界定之交联化合物的链长;以及其中该磨蚀基板施加于保护基板的上面。48.一种用以清洁探针之末端部分的探针清洁装置,而该探针系用来测试半导体晶圆,该探针清洁装置包含:(i)一磨蚀基板层;以及(ii)一胶黏性凝胶层,其中该胶黏性凝胶层系与该磨蚀基板层之表面接触;该胶黏性凝胶层包含:(a)具有式I之以矽氧烷为底的树脂:其中:R1、R2、R3、R4与R5各选自氢、C1-6烷基、C1-6卤代烷基、乙烯基或C1-6丙烯氧烷基,而且R1、R2、R3、R4与R5中至少其中一者为乙烯基;D系选自-O-、-S-、-(CH2)rCH2-、-(CH2)rCH2O-与-O(CH2)rCH2-之二价键二价连结基,其中,r为自0至10之整数;以及n与m各为自0至1000之整数,其中,m与n的总和不小于约10;以及(b)一种交联化合物,其系选自:(i')具有式II之化合物:其中,R1'、R2'、R3'、R4'、R5'、m'与n'各选自界定上述R1、R2、R3、R4、R5、m与n之群组,但其先决条件是式II中不存在乙烯基且式II具有至少二Si-H键;或者(ii')具有式III之化合物:其中:R6、R7、R8、R9、R10与R11各选自:氢、C1-20烷基、C1-20卤代烷基、苯基或C1-10烷基苯基,但其先决条件是式III具有至少二Si-H键;p与q各为自0至800之整数;T系选自单键、-(CH2)rtCH2-、-(CH2)rtCH2O-或及其中,t系自0至10之整数,R系选自C1-20烷基、C1-20卤代烷基、苯基或C1-10烷基苯基;而s系自0至800之整数;以及(c)一种触媒;另外,其中:由式I之m与n値总和所界定之聚以矽氧烷为底的树脂的链长恒大于由式II之m'与n'値总和或式III之p、q与s値总和所界定之交联化合物的链长;以及其中该磨蚀基板层系异质的,且包含:(A)第一层材料,以及(B)具有磨蚀表面之第二层材料,该材料与第一层不同。49.如申请专利范围第1项之探针清洁装置,其中,该胶黏性凝胶层具有自动复原性。50.如申请专利范围第29项之探针清洁装置,其中,该胶黏性凝胶层具有自动复原性。51.如申请专利范围第1项之探针清洁装置,其中,该胶黏性凝胶层包含自约2.0至5.0重量%之交联化合物。52.如申请专利范围第51项之探针清洁装置,其中,该胶黏性凝胶层包含自约2.0至3.0重量%之交联化合物。53.如申请专利范围第1项之探针清洁装置,其中,该触媒系一种固化触媒。54.如申请专利范围第53项之探针清洁装置,其中,该固化触媒系一种含铂触媒。55.一种用以清洁探针之末端部分的探针清洁装置,而该探针系用来测试半导体晶圆,该探针清洁装置包含:(i)一磨蚀基板层;以及(ii)一胶黏性凝胶层,其中该胶黏性凝胶层系与该磨蚀基板层之表面接触;该胶黏性凝胶层包含:(a)具有式I之以矽氧烷为底的树脂:其中:R1、R2、R3、R4与R5各选自氢、C1-6烷基、C1-6卤代烷基、乙烯基或C1-6丙烯氧烷基,而且R1、R2、R3、R4与R5中至少其中一者为乙烯基;D系选自-O-、-S-、-(CH2)rCH2-、-(CH2)rCH2O-与-O(CH2)rCH2-之二价键二价连结基,其中,r为自0至10之整数;以及n与m各为自0至1000之整数,其中,m与n的总和不小于约10;以及(b)一种交联化合物,其系选自:(i')具有式II之化合物:其中,R1'、R2'、R3'、R4'、R5'、m'与n'各选自界定上述R1、R2、R3、R4、R5、m与n之群组,但其先决条件是式II中不存在乙烯基且式II具有至少二Si-H键;或者(ii')具有式III之化合物:其中:R6、R7、R8、R9、R10与R11各选自:氢、C1-20烷基、C1-20卤代烷基、苯基或C1-10烷基苯基,但其先决条件是式III具有至少二Si-H键;p与q各为自0至800之整数;T系选自单键、-(CH2)rtCH2-、-(CH2)rtCH2O-或及其中,t系自0至10之整数,R系选自C1-20烷基、C1-20卤代烷基、苯基或C1-10烷基苯基;而s系自0至800之整数;以及(c)一种触媒;另外,其中:由式I之m与n値总和所界定之聚以矽氧烷为底的树脂的链长恒大于由式II之m'与n'値总和或式III之p、q与s値总和所界定之交联化合物的链长;以及该装置另包含一层涂敷于该胶黏性凝胶层表面之可移除保护膜。56.如申请专利范围第29项之探针清洁装置,其中,该胶黏性凝胶层包含自约2.0至5.0重量%之交联化合物。57.如申请专利范围第56项之探针清洁装置,其中,该胶黏性凝胶层包含自约2.0至3.0重量%之交联化合物。58.如申请专利范围第29项之探针清洁装置,其中,该触媒系一种固化触媒。59.如申请专利范围第58项之探针清洁装置,其中,该固化触媒系一种含铂触媒。60.一种用以清洁探针之末端部分的探针清洁装置,而该探针系用来测试半导体晶圆,该探针清洁装置包含:(i)一磨蚀基板层;以及(ii)一胶黏性凝胶层,其中该胶黏性凝胶层系与该磨蚀基板层之表面接触;该胶黏性凝胶层包含:(a)一种包含具有黏度自约2000至10,000 cps之以矽氧烷为底之树脂的乙烯基矽氧烷;以及(b)一种包含具有黏度自约2至1000 cps之交联化合物之氢化矽氧烷,其中交联化合物不包含乙烯基;以及(c)一种触媒;以及该装置另包含一层涂敷于该胶黏性凝胶层表面之可移除保护膜。61.一种用以清洁探针之末端部分的探针清洁装置,而该探针系用来测试半导体晶圆,该探针清洁装置包含:(i)一磨蚀基板层;以及(ii)一胶黏性凝胶层,其中该胶黏性凝胶层系与该磨蚀基板层之表面接触;该胶黏性凝胶层包含:(a)具有式I之以矽氧烷为底的树脂:其中:R1、R2、R3、R4与R5各选自氢、C1-6烷基、C1-6卤代烷基、乙烯基或C1-6丙烯氧烷基,而且R1、R2、R3、R4与R5中至少其中一者为乙烯基;D系选自-O-、-S-、-(CH2)rCH2-、-(CH2)rCH2O-与-O(CH2)rCH2-之二价键二价连结基,其中,r为自0至10之整数;以及n与m各为自0至1000之整数,其中,m与n的总和不小于约10;以及(b)一种交联化合物,其系选自:(i')具有式11之化合物:其中,R1'、R2'、R3'、R4'、R5'、m'与n'各选自界定上述R1、R2、R3、R4、R5、m与n之群组,但其先决条件是式II中不存在乙烯基且式II具有至少二Si-H键;或者(ii')具有式III之化合物:其中:R6、R7、R8、R9、R10与R11各选自:氢、C1-20烷基、C1-20卤代烷基、苯基或C1-10烷基苯基,但其先决条件是式III具有至少二Si-H键;p与q各为自0至800之整数;T系选自单键、-(CH2)rtCH2-、-(CH2)rtCH2O-或及其中,t系自0至10之整数,R系选自C1-20烷基、C1-20卤代烷基、苯基或C1-10烷基苯基;而s系自0至800之整数;以及(c)一种触媒;另外,其中:由式I之m与n値总和所界定之聚以矽氧烷为底的树脂的链长恒大于由式II之m'与n'値总和或式III之p、q与s値总和所界定之交联化合物的链长。62.一种用以清洁探针之末端部分的探针清洁装置,而该探针系用来测试半导体晶圆,该探针清洁装置包含:(i)一磨蚀基板层;以及(ii)一胶黏性凝胶层,其中该胶黏性凝胶层系与该磨蚀基板层之表面接触;该胶黏性凝胶层包含:(a)一种包含具有黏度自约2000至10,000 cps之以矽氧烷为底之树脂的乙烯基矽氧烷;以及(b)一种包含具有黏度自约2至1000 cps之交联化合物之氢化矽氧烷,其中该交联化合物不包含乙烯基;以及(c)一种触媒。63.如申请专利范围第1项之探针清洁装置,该磨蚀基板层包含磨蚀物,至少该磨蚀物中之二者在其中至少该磨蚀物中之二者间具有一间隔,其中该间隔小于探针尖端之宽度。64.如申请专利范围第29项之探针清洁装置,该磨蚀基板层包含磨蚀物,至少该磨蚀物中之二者在其中至少该磨蚀物中之二者间具有一间隔,其中该间隔小于探针尖端之宽度。图式简单说明:图1A显示一种同质清洁装置。图1B显示一种异质清洁装置。图1C显示一种清洁装置,其卷线筒上具有胶黏性凝胶层,而且延伸过该磨蚀基板的磨蚀表面。图2描述相对于探针尖端之磨蚀基板表面细节。图3显示具有胶黏性凝胶材料与磨蚀表面交错区域之清洁装置。图4显示层压在埋有磨蚀粒子之弹性树脂层上面之胶黏性凝胶层。图5显示一种用以制造本发明清洁装置之方法。图6A-6D显示使用图1A之同质清洁装置清洁探针尖端之方法。图7A与7B显示使用图3之清洁装置清洁探针尖端之方法。图8显示使用图4之清洁装置清洁探针尖端之方法。图9A与9B显示以本发明实施例之清洁装置清洁前后之探针尖端。 |
