| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征在于:使包含含有有机源(有机金属化合物)之气体、氧气与稀有气体之处理气体电浆化;该电浆之电子温度为2eV以下,电子密度为1Ell/cm3以上;使用前述电浆在半导体装置用基材的表面进行高介电常数膜之成膜。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中前述电浆系经由具复数裂缝之平面天线构件照射微波所产生。3.如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法,其中前述高介电常数膜系场效电晶体之闸极绝缘膜。4.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,其中前述高介电常数膜,系于250℃-500℃之温度成膜。5.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法,其中前述高介电常数膜的膜中碳浓度系15%以下。6.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法,其中前述高介电常数膜系包含:Ta2O5、ZrO2、HfO2、Al2O3、La2O3、TiO2、Y2O3、BST、Pr2O3、Gd2O3、CeO2及从该等物质的化合物选择之一种以上的物质。图式简单说明:图1(a)、(b)为显示藉由本发明之电子装置材料之制造方法所制造的半导体装置一例的模式垂直剖面图。图2为显示用以实施本发明之电子装置材料之制造方法的半导体制造装置一例的模式平面图。图3为显示本发明之电子装置材料之制造方法中可使用的平面天线(RLSA;亦有称为Slot Plane Antenna乃至SPA的情况)电浆处理单元一例的模式垂直剖面图。图4为显示本发明之绝缘膜之改质装置中可使用的平面天线(RLSA)一例的模式平面图。图5为显示本发明之电子装置材料之制造方法中可使用的加热反应炉单元一例的模式平面图。图6为显示本发明之制造方法中各步骤一例的流程图。图7(a)、(b)为显示本发明之方法的膜形成一例的模式剖面图。图8为显示通常的热CVD所制作之ZrO2的奥格电子分光的剖面图。图9系显示电浆发光强度比与从XPS分析所求出之膜中碳浓度的关系。图10(a)、(b)、(c)为显示图9所使用之ECR电浆的电子温度图。图11为显示经由平面天线构件而照射微波时电浆的电子密度的水平方向分析图。图12为显示经由平面天线构件而照射微波时电浆的电子温度的水平方向分析图。 |
