发明名称 离子布植系统以及监控离子布植装置中布植能量的方法
摘要 本发明系提供一种离子布植系统以及校正离子布植装置中布植的方法,此离子布植系统包含有一离子布植装置以及一监控装置,离子布植装置可产生复数个带电粒子,并可利用一加速电压对所产生的带电粒子进行加速,以藉由这些带电粒子来进行一离子布植制程,而监控装置则可在该离子布植制程中对被加速后之该些带电粒子进行光谱分析,以获得离子布植装置的实际加速电压,并再根据所得之所得的加速电压来即时校正离子布植装置之布植能量。
申请公布号 TWI268558 申请公布日期 2006.12.11
申请号 TW094105393 申请日期 2005.02.23
申请人 私立中原大学 发明人 李世琛
分类号 H01L21/425(2006.01) 主分类号 H01L21/425(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼;颜锦顺 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 1.一种离子布植系统,其包含有:一离子布植装置,可产生复数个带电粒子,并利用一加速电压对该些带电粒子进行加速,以使该些带电粒子具有一布植能量,而能被用来进行一离子布植制程;以及一监控装置,可对被加速后之该些带电粒子进行光谱分析,以获得该些带电粒子之速度分布;其中该监控装置将根据所得之该速度分布来校正该离子布植装置之该布植能量。2.如申请专利范围第1项所述之离子布植系统,其中该监控装置包含有一资料库,该资料库内包含有各该带电粒子之速度与该加速电压间之正确对应关系,以使该监控装置能根据所得之速度分布来校正该离子布植装置之该布植能量。3.如申请专利范围第1项所述之离子布植系统,其中该监控装置系将对该些带电粒子发射一电磁波,该电磁波于照射该些带电粒子后,会产生一频率位移,而该监控装置可藉由量测该频率位移而得到该些带电粒子之速度分布。4.如申请专利范围第3项所述之离子布植系统,其中该电磁波系为一红外光。5.如申请专利范围第1项所述之离子布植系统,其中该离子布植装置可产生一电浆环境,并可用来进行一电浆浸没离子布植制程。6.一种监控离子布植装置中布植能量的方法,其包含有:提供一离子布植装置,其可产生至少一带电粒子,并利用一加速电压对该带电粒子进行加速,使该些带电粒子具有一布植能量,而可进行一离子布植制程;对该些加速后之带电粒子进行光谱分析,而获得一频率位移;以及根据该频率位移来校准该离子布植装置之布植能量。7.如申请专利范围第6项所述之监控离子布植装置中布植能量的方法,其中对该带电粒子进行光谱分析的方法包含有:对该带电粒子发射一已知频率之电磁波,其中该电磁波会因该带电粒子的移动产生一频率位移;以及重新量测该电磁波之频率,以获得该电磁波之该频率位移。8.如申请专利范围第7项所述之监控离子布植装置中布植能量的方法,其中该电磁波系为一红外光。9.如申请专利范围第6项所述之监控离子布植装置中布植能量的方法,其中校准该离子布植装置布植能量的方法包含有:提供一资料库,该资料库内包含有该频率位移与该加速电压间之正确对应关系;根据该资料库以及所得之该频率位移来计算该离子布植装置的实际加速电压;以及根据该实际加速电压来对该离子布植装置进行布植能量校正。10.如申请专利范围第6项所述之监控离子布植装置中布植能量的方法,其中该离子布植装置可产生一电浆环境,并可用来进行一电浆浸没离子布植制程。图式简单说明:第1图系显示本发明一实施例中之离子布植系统之示意图。
地址 桃园县中坜市中北路200号