| 主权项 |
1.一种半导体装置,系具有:以在半导体基板上覆盖隔着绝缘层而形成之焊垫电极之方式黏接于前述半导体基板表面侧之支持体;以及以从前述半导体基板背面到达前述焊垫电极表面之方式而形成之贯穿孔者,其特征为:接近前述焊垫电极表面之部分之贯穿孔的开口径比接近前述半导体基板背面之部分之贯穿孔的开口径为宽。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,在前述贯穿孔之侧壁形成有绝缘层或金属层。3.如申请专利范围第1项或第2项之半导体装置,其中,前述贯穿孔内以不完全填满该贯穿孔之方式,形成有金属层。4.一种半导体装置之制造方法,系具有:以在半导体基板表面覆盖隔着绝缘层而形成之焊垫电极之方式,将支持体黏接于前述半导体基板表面侧之步骤;以及以从前述半导体基板背面到达前述焊垫电极表面之方式而形成贯穿孔之步骤;其特征为:形成前述贯穿孔之步骤包含:到前述绝缘层未露出于前述半导体基板之位置为止形成第一开口之步骤;以及前述绝缘层露出于前述半导体基板之位置为止形成具有比前述第一开口之开口径为宽的开口径之第二开口之步骤。5.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法,其中,形成前述贯穿孔之步骤包含:将从前述第二开口露出之前述绝缘层进行蚀刻而使前述焊垫电极露出之步骤。6.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法,其中,具备:在前述贯穿孔之侧壁形成绝缘层之步骤;以及在前述绝缘层上形成金属层之步骤。7.如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法,其中,在前述贯穿孔之侧壁形成绝缘层之步骤系在包含贯穿孔之半导体基板上形成绝缘层之后,将在前述半导体基板上形成之抗蚀剂层作为遮罩而去除前述焊垫电极上之绝缘层之步骤。8.如申请专利范围第7项之半导体装置之制造方法,其中,去除前述焊垫电极上之绝缘层之步骤系未将前述抗蚀剂层作为遮罩之蚀刻步骤。9.如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法,其中,具备形成连接于前述金属层之球形端子之步骤。10.如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法,其中,前述形成金属层之步骤系以不将前述贯穿孔完全填满之方式形成前述金属层于前述贯穿孔内。11.如申请专利范围第4项至第10项中任一项之半导体装置之制造方法,其中,具备将前述半导体基板分割成复数个半导体晶片之步骤。图式简单说明:第1图系显示本发明实施形态之半导体装置之制造方法的剖视图。第2图系显示本发明实施形态之半导体装置之制造方法的剖视图。第3图系显示本发明实施形态之半导体装置之制造方法的剖视图。第4图系显示本发明实施形态之半导体装置之制造方法的剖视图。第5图系显示本发明实施形态之半导体装置之制造方法的剖视图。第6图系显示本发明实施形态之半导体装置之制造方法的剖视图。第7图系显示本发明实施形态之半导体装置之制造方法的剖视图。第8图系显示习知半导体装置之剖视图。第9图(A)及(B)系显示习知半导体装置之斜视图。第10图系显示习知半导体装置之剖视图。 |
