发明名称 加速度感测器及倾斜检测方法
摘要 本发明系提高机器倾斜角之检测精度。本发明之加速度感测器在检测特定物品由基本姿势倾斜位移者方面,具备感测晶片,其具有包含检测倾斜位移之单轴或相交双轴之检测轴之检测面。与前述感测晶片之前述检测面正交之轴以与前述基本姿势时之前述物品之基准面平行之方式配置。并且,前述感测晶片获取对应于前述基准面之倾斜位移之输出信号。
申请公布号 TWI268624 申请公布日期 2006.12.11
申请号 TW093103066 申请日期 2004.02.10
申请人 住友金属工业股份有限公司 发明人 原田宗生;池内直树;桥本浩幸
分类号 H01L29/84(2006.01) 主分类号 H01L29/84(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种加速度感测器,其系检测特定物品由基本姿势倾斜位移者,其特征在于具备:感测晶片,其具有包含检测倾斜位移之单轴或相交双轴之检测轴之检测面;与前述感测晶片之前述检测面正交之轴以与前述基本姿势时之前述物品之基准面平行之方式配置;前述感测晶片获得对应于前述基准面之倾斜位移之输出信号。2.如申请专利范围第1项之加速度感测器,其中前述感测晶片具有至少可在一维方向移动之可动构造部;收容前述可动构造部之基体;及输出对应前述可动构造部之位移之信号之检测部。3.如申请专利范围第2项之加速度感测器,其中前述检测轴对于前述基准面倾斜特定角度。4.如申请专利范围第3项之加速度感测器,其中前述检测轴对于前述基准面倾斜约45。5.如申请专利范围第4项之加速度感测器,其中前述感测晶片系于(110)面之矽基板形成之半导体压阻式。6.如申请专利范围第2项之加速度感测器,其中前述可动构造部至少可在二维方向移动。7.如申请专利范围第6项之加速度感测器,其中前述检测部分别检测与前述基准面平行延伸之第1检测轴方向,及与前述基准面垂直延伸之第2检测轴方向之位移。8.如申请专利范围第6项之加速度感测器,其中前述检测部分别检测由前述基准面倾斜特定角度延伸之第1检测轴方向,及由前述基准面倾斜特定角度延伸之第2检测轴方向之位移。9.如申请专利范围第8项之加速度感测器,其中前述第1检测轴系由前述基准面倾斜约45延伸;前述第2检测轴系由前述基准面倾斜约45,并与前述第1检测轴正交。10.如申请专利范围第7、8或9项之加速度感测器,其中基于对应于前述第1检测轴方向位移之输出信号与对应于前述第2检测轴方向位移之输出信号之和或差,求出前述基准面之倾斜位移。11.如申请专利范围第9项之加速度感测器,其中前述感测晶片系于(110)面之矽基板形成之半导体压阻式。12.如申请专利范围第10项之加速度感测器,其中前述感测晶片系于(110)面之矽基板形成之半导体压阻式。13.一种加速度感测器,其系检测特定机器由基本姿势倾斜位移者,其特征在于具备:感测晶片,其具有检测二维位移之检测面;与前述感测晶片之前述检测面正交之轴以与前述基本姿势时之前述机器之基准面平行之方式配置;前述感测器芯片含有于前述检测面内可在二维方向移动之可动构造部、收容前述可动构造部之基体及输出对应前述可动构造部之位移之信号之检测部;前述感测晶片之检测部配置于由与前述基准面平行方向倾斜约45延伸之第1检测轴上,及由与前述基准面垂直方向倾斜约45延伸之第2检测轴上;基于前述第1检测轴上之前述检测部与前述第2检测轴上之前述检测部之输出信号之差或和,求出前述基准面之倾斜位移。14.如申请专利范围第13项之加速度感测器,其中前述感测晶片系于(110)面之矽基板形成之半导体压阻式。15.一种倾斜检测方法,其系使用具有包含单轴或相交双轴检测轴之检测面之感测晶片,检测特定物品对于基本姿势倾斜位移者,其特征在于:以与前述检测面正交之轴与对应前述物品之前述基本姿势之基准面平行,同时前述检测轴对于前述基准面倾斜特定角度之方式配置前述感测晶片;基于前述感测晶片之前述检测轴方向之位移检测前述物品之倾斜位移。16.如申请专利范围第15项之方法,其中以前述检测轴对于前述基准面倾斜约45之方式配置前述感测晶片。17.一种倾斜检测方法,其系使用具有包含正交之第1及第2检测轴之检测面之感测晶片,检测特定机器对于基本姿势倾斜位移者,其特征在于:以与前述检测面正交之轴与对应前述机器之前述基本姿势之基准面平行,同时前述第1检测轴由前述基准面倾斜约45,前述第2检测轴由前述基准面倾斜约45之方式配置前述感测晶片;基于依照前述第1检测轴方向位移之输出信号与依照前述第2检测轴方向位移之输出信号之差或和,求出前述基准面之倾斜位移。18.一种安装基板,其系安装有请求项1记载之加速度感测器用之感测晶片之矩形安装基板,其特征在于:前述感测晶片以该感测器之检测轴对于前述基板之各边由水平及垂直倾斜之方式安装。19.如申请专利范围第18项之安装基板,其中前述感测晶片之检测轴为互相正交之至少两根,各检测轴对于前述基板之各边在约45之角度方向延伸。20.如申请专利范围第18或19项之安装基板,其中前述感测晶片系于(110)面之矽基板形成之半导体压阻式。21.一种安装基板,其系安装有请求项13记载之加速度感测器用之感测晶片之矩形安装基板,其特征在于:前述感测晶片以该感测器之检测轴对于前述基板之各边由水平及垂直倾斜之方式安装。22.如申请专利范围第21项之安装基板,其中前述感测晶片之检测轴为互相正交之至少两根,各检测轴对于前述基板之各边在约45之角度方向延伸。23.如申请专利范围第21或22项之安装基板,其中前述感测晶片系于(110)面之矽基板形成之半导体压阻式。图式简单说明:图1A、B系显示可适用本发明之加速度感测器之原理之说明图(剖面图)。图2系显示本发明之第1实施例之加速度感测器之构造之平面图。图3系图2之A-A'方向之剖面图,显示第1实施例之加速度感测器之内部构造。图4系显示安装有第1实施例之加速度感测器之安装基板之概略立体图。图5系显示将图4所示之安装基板装载于机器之情况之说明图(立体图)。图6系显示第1实施例之加速度感测器之实际使用状态(方向、配置)之说明图,显示与装载机器之基准面之位置关系。图7系显示机器(基准面)对于倾斜角之第1实施例之加速度感测器之输出之图表。图8系显示机器(基准面)对于倾斜角之第1实施例之加速度感测器之输出变化之图表。图9系显示本发明之第2实施例之加速度感测器之实际使用状态(方向、配置)之说明图,显示与装载机器之基准面之位置关系。图10系显示机器(基准面)对于倾斜角之第2实施例之加速度感测器之输出之图表。图11系显示机器(基准面)对于倾斜角之第2实施例之加速度感测器之输出变化之图表。图12系显示安装有第2实施例之加速度感测器之安装基板之概略立体图。图13系显示将图12所示之安装基板装载于机器之情况之说明图(立体图)。图14系本发明之第3实施例之加速度感测器之实际使用状态(方向,配置)之说明图,显示与装载机器之基准面之位置关系。
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