| 主权项 |
1.一种薄膜蚀刻方法,系应用于一半导体或一薄膜电晶体 阵列之薄膜制程中,其包括下列步骤:提供一基材,该基材上形成有至少一层薄膜,且于最上面一层该薄膜之顶部形成有一光阻;使用第一蚀刻剂蚀刻该薄膜;使用第二蚀刻剂蚀刻该光阻;以及使用第一蚀刻剂再次蚀刻该薄膜。2.如申请专利范围第1项所述之薄膜蚀刻方法,其中该蚀刻该薄膜之步骤系为一湿蚀刻法。3.如申请专利范围第1项所述之薄膜蚀刻方法,其中该蚀刻该光阻之步骤系为一乾蚀剂法,其包含一含氧气之电浆蚀刻法(O2 Plsma)。4.如申请专利范围第1项所述之薄膜蚀刻方法,其中该再次蚀刻该薄膜之步骤系为一湿蚀刻法。5.如申请专利范围第1项所述之薄膜蚀刻方法,其中该薄膜系为单层之薄膜。6.如申请专利范围第1项所述之薄膜蚀刻方法,其中该薄膜系为复数层之薄膜。7.如申请专利范围第1项所述之薄膜蚀刻方法,其中该蚀刻该光阻之步骤,系使该光阻不覆盖该蚀刻该光阻之步骤所产生之倒角(Undercut)。8.如申请专利范围第1项所述之薄膜蚀刻方法,其中该薄膜系为一金属薄膜。9.如申请专利范围第1项所述之薄膜蚀刻方法,其中该第一蚀刻剂系为一磷酸、硝酸与醋酸的混合溶液。10.如申请专利范围第1项所述之薄膜蚀刻方法,其中该第二蚀刻剂系为一磷酸、硝酸与醋酸的混合溶液。11.如申请专利范围第1项所述之薄膜蚀刻方法,其中该基材上之该薄膜为一双层薄膜结构。12.如申请专利范围第11项所述之薄膜蚀刻方法,其中该双层薄膜结构包含有一钕铝合金(AlNd)之第一薄膜。13.如申请专利范围第11项所述之薄膜蚀刻方法,其中该双层薄膜结构包含有一氮化钕铝合金(AlNdN)之第二薄膜。14.如申请专利范围第1项所述之薄膜蚀刻方法,其中该基材上之该薄膜为一三层薄膜结构。15.如申请专利范围第14项所述之薄膜蚀刻方法,其中该三层薄膜结构包含有一钼金属(Mo)之第一薄膜。16.如申请专利范围第14项所述之薄膜蚀刻方法,其中该三层薄膜结构包含有一铝金属(Al)之第二薄膜。17.如申请专利范围第14项所述之薄膜蚀刻方法,其中该三层薄膜结构包含有一钼金属(Mo)之第三薄膜。图式简单说明:第1A图系为一薄膜液晶显示器闸极电极制程,于光微影术后之结构示意图。第1B图系为第1A图之闸极电极制程,进行蚀刻步骤之示意图。第1C图系为第1B图之闸极电极制程,剥除光阻后之结构示意图。第2A图系为一单层薄膜结构,于光微影术后之结构示意图。第2B图系为一单层薄膜结构,于进行蚀刻步骤之示意图。第2C图系为一单层薄膜结构,于剥除光阻后之结构示意图。第3A图系为一三层薄膜结构,于光微影术后之结构示意图。第3B图系为一三层薄膜结构,于进行蚀刻步骤之示意图。第3C图系为一三层薄膜结构,于剥除光阻后之结构示意图。第4图系为一本发明之薄膜蚀刻方法实施例流程图。第5A图系为一双层薄膜结构于光微影术后之结构示意图。第5B图系为第5A图之双层薄膜结构,进行第一阶段蚀刻之示意图。第5C图系为第5B图之双层薄膜结构,进行第二阶段蚀刻之示意图。第5D图系为第5C图之双层薄膜结构,进行第三阶段蚀刻之示意图。第5E图系为第5D图之双层薄膜结构,第三阶段蚀刻后之示意图。第5F图系为第5E图之双层薄膜结构,剥除光阻后之结构示意图。第6A图系为一单层薄膜结构于光微影术后之结构示意图。第6B图系为第6A图之单层薄膜结构,进行第一阶段蚀刻之示意图。第6C图系为第6B图之单层薄膜结构,进行第二阶段蚀刻之示意图。第6D图系为第6C图之单层薄膜结构,进行第三阶段蚀刻之示意图。第6E图系为第6D图之单层薄膜结构,剥除光阻后之结构示意图。第7A图系为一三层薄膜结构于光微影术后之结构示意图。第7B图系为第7A图之三层薄膜结构,进行第一阶段蚀刻之示意图。第7C图系为第7B图之三层薄膜结构,进行第二阶段蚀刻之示意图。第7D图系为第7C图之三层薄膜结构,进行第三阶段蚀刻之示意图。第7E图系为第7D图之三层薄膜结构,剥除光阻后之结构示意图。 |
