| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体,包括:一闸极;一闸绝缘层,覆盖该闸极;一通道层,位于该闸极上方的该闸绝缘层上;一源极与一汲极,配置于该通道层上;以及一欧姆接触层,配置在该通道层与该源极及该汲极之间,其中该欧姆接触层是由多层膜层所构成。2.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体,其中该欧姆接触层是由多层的N型掺杂非晶矽层所构成。3.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体,其中该通道层之材质包括非晶矽。4.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体,其中该闸极之材质包括金属。5.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体,其中该源极与该汲极之材质包括金属。6.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体,其中该闸绝缘层之材质选自氧化矽、氮化矽及其组合其中之一。7.一种薄膜电晶体的制造方法,包括:在一基板上形成一闸极;在该基板上形成一闸绝缘层,覆盖该闸极;在该闸极上方的该闸绝缘层上形成一通道层;在该通道层上形成一欧姆接触层,其中该欧姆接触层是由多层膜层所构成;以及在该欧姆接触层上形成一源极与一汲极,且位于该源极与该汲极之间的该欧姆接触层会被移除。8.如申请专利范围第7项所述之薄膜电晶体的制造方法,其中形成该欧姆接触层之方法包括:进行一沈积制程,其中于进行该沈积制程时会改变沈积功率,以于该通道层上沈积不连续的膜层,而形成多层结构的欧姆接触层。9.如申请专利范围第8项所述之薄膜电晶体的制造方法,其中于进行该沈积制程时会改变沈积功率之方式包括于沈积一特定时间间隔时即关闭电源。10.如申请专利范围第7项所述之薄膜电晶体的制造方法,其中形成该欧姆接触层之方法包括:进行一沈积制程,其中于进行该沈积制程时会改变沈积压力条件,以于该通道层上沈积不连续的膜层,而形成多层结构的欧姆接触层。11.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体的制造方法,其中于进行该沈积制程时会改变沈积压力条件之方式包括于沈积一特定时间间隔时即改变压力,以使沈积速率降低。12.如申请专利范围第7项所述之薄膜电晶体的制造方法,其中该欧姆接触层是由多层的N型掺杂非晶矽层所构成。图式简单说明:图1绘示一习知薄膜电晶体之结构剖面图。图2A至2E绘示依照本发明较佳实施例之薄膜电晶体的制造方法示意图。图3A绘示一薄膜电晶体阵列基板的上视图。图3B、图3C、图3D绘示图3A沿剖面线a-b、剖面线c-d、剖面线e-f之剖面图。 |
