发明名称 包括高度分支聚合物之抛光系统
摘要 本发明提供一种抛光系统及其使用方法,该系统包括(a)液体载剂,(b)具有50%或更大分支度之聚合物,(c)抛光垫、磨料或其组合。
申请公布号 TWI268199 申请公布日期 2006.12.11
申请号 TW093141179 申请日期 2004.12.29
申请人 卡博特微电子公司 发明人 凯文J 摩巨伯格;福瑞德F 森
分类号 B24B37/04(2006.01);C09G1/00(2006.01) 主分类号 B24B37/04(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种抛光系统,其包括: (a)液体载剂, (b)具有50%或更大分支度之聚合物,及 (c)抛光垫,磨料或其组合。 2.根据请求项1之抛光系统,其中该分支度为60%或更 大。 3.根据请求项2之抛光系统,其中该分支度为70%或更 大。 4.根据请求项1之抛光系统,其中该聚合物系选自由 枝状聚合物、梳型聚合物、瓶刷聚合物、线性-枝 聚物二嵌段共聚物、线性-枝聚物三嵌段共聚物、 无规分支聚合物、其共聚物及其组合所组成之群 组。 5.根据请求项4之抛光系统,其中该聚合物为线性- 枝聚物二嵌段共聚物。 6.根据请求项5之抛光系统,其中该线性-枝聚物二 嵌段共聚物为聚氧化乙烯-聚醯胺基胺(PEO-PAMAM)二 嵌段共聚物。 7.根据请求项4之抛光系统,其中该聚合物为线性- 枝聚物三嵌段共聚物。 8.根据请求项7之抛光系统,其中该线性-枝聚物三 嵌段共聚物为聚氧化乙烯-聚氧化丙烯-聚醯胺基 胺三嵌段共聚物。 9.根据请求项4之抛光系统,其中该聚合物为枝状聚 合物。 10.根据请求项9之抛光系统,其中该枝状聚合物包 括选自由C1-8杂环、C1-8碳环、C1-8烷及C1-8胺基烷所 组成之群组之核单体。 11.根据请求项9之抛光系统,其中该枝状聚合物自 氮原子分支。 12.根据请求项9之抛光系统,其中该枝状聚合物包 括2至10代。 13.根据请求项1之抛光系统,其中该聚合物为聚醯 胺基胺(PAMAM)聚合物。 14.根据请求项1之抛光系统,其中该聚合物为聚甘 油。 15.根据请求项1之抛光系统,其中该聚合物包括选 自由胺、醯胺、羧酸、磺酸、膦酸、羟基、其盐 及其组合所组成之群组之表面官能基。 16.根据请求项1之抛光系统,其中该聚合物具有1,000 至1,000,000克/莫耳之分子量。 17.根据请求项16之抛光系统,其中该分子量为2,000 至500,000克/莫耳。 18.根据请求项1之抛光系统,其中该聚合物包括含 单体之高度分支核,其中该高度分支核内的50%或更 多单体系经分支。 19.根据请求项1之抛光系统,其中该聚合物在相同 条件下具有相同单体组合物和分子量的线性聚合 物之70%或更小之黏度。 20.根据请求项1之抛光系统,其中该系统包括一种 悬浮于液体载剂中之磨料。 21.根据请求项1之抛光系统,其中该系统包括一种 固定到抛光垫之磨料。 22.根据请求项1之抛光系统,其进一步包括一或多 种选自由螯合剂或错合剂、氧化剂、界面活性剂 、防泡剂、杀生物剂及其组合所组成之群组之抛 光添加剂。 23.一种抛光基材之方法,其包括: (i)使基材与根据请求项1之抛光系统接触,及 (ii)研磨至少部分基材,以抛光基材。
地址 美国