| 主权项 |
1.一种流体喷射装置的制造方法,包括下列步骤: 提供一基底,且该基底具有一第一表面与一第二表 面; 形成一图案化牺牲层于该基底之该第一表面上; 形成一导电高分子层于该基底之该第一表面上,且 覆盖该图案化牺牲层; 形成一图案化光阻层于该导电高分子层上; 形成一金属结构层于暴露之该导电高分子层上,且 该金属结构层与该图案化光阻层相邻; 移除该图案化光阻层与该图案化光阻层下方的导 电高分子层,以形成一喷孔。 2.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置的制 造方法,其中更包括形成一加热元件及一驱动电路 于该基底之该第一表面上。 3.如申请专利范围第2项所述之流体喷射装置的制 造方法,其中该图案化牺牲层覆盖该加热元件。 4.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置的制 造方法,其中该图案化牺牲层包括多晶矽(Poly-Si)、 磷矽玻璃或高分子聚合物。 5.如申请专利范围第4项所述之流体喷射装置的制 造方法,其中该高分子聚合物为光阻。 6.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置的制 造方法,其中该导电高分子层为一电镀起始层。 7.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置的制 造方法,其中该导电高分子层包括环氧树脂、聚亚 醯胺、聚乙炔(polyacetylene)、聚吩(polythiophene)、 聚二乙炔(polydiacetylene)、聚对苯撑乙烯( polyparaphenylene)、聚咯(polypyrrole)、聚双吩( polybithiophene)、聚异吩(polyisothiophene)、聚嗯基 乙烯(polythienylvinylene)、聚次苯基硫化物( polyphenylenesulfide)、聚苯胺(polyanilines)、聚(3,4-二氧 乙基吩)/聚(对苯乙烯磺酸)(poly(3,4-ethylenedioxy- thiophene)/poly (styrenesulfonate), PEDOT:PSS)或氟代烷基矽 烷(fluoroalkylsilane)。 8.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置的制 造方法,其中该导电高分子层为SU-8。 9.如申请专利范围第5项所述之流体喷射装置的制 造方法,其中该导电高分子层系感光性材料。 10.如申请专利范围第9项所述之流体喷射装置的制 造方法,其中该感光性材料为藉由添加光酸产生剂 (photo acid generation material, PAG)所形成。 11.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置的制 造方法,其中该导电高分子层为一具有导电粒子之 光阻。 12.如申请专利范围第11项所述之流体喷射装置的 制造方法,其中该导电粒子包括银、铜、镍或金。 13.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置的制 造方法,其中该导电高分子层之电阻率范围介于10- 2~10-5-cm。 14.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置的制 造方法,其中该导电高分子系利用旋转涂布、浇铸 或微影/蚀刻方式形成。 15.如申请专利范围第2项所述之流体喷射装置的制 造方法,其中该导电高分子层覆盖该驱动电路。 16.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置的制 造方法,其中该图案化光阻层与该图案化光阻层下 方的导电高分子系利用乾式蚀刻或微影/蚀刻方式 去除。 17.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置的制 造方法,其中该金属结构层包括镍、金或镍钴合金 或其组合。 18.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置的制 造方法,其中该金属结构层之厚度相近于图案化光 阻层之厚度。 19.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置的制 造方法,其中该金属结构层系由金属微电铸或电镀 制程形成。 20.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置的制 造方法,更包括由该第二表面蚀刻该基底,形成一 流体通道于该基底中,以露出该图案化牺牲层。 21.如申请专利范围第20项所述之流体喷射装置的 制造方法,更包括移除该图案化牺牲层,以形成一 流体腔,且该流体腔与该喷孔及该流体通道连通。 22.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置的制 造方法,更包括形成一抗化性金属薄膜于该金属结 构层上。 23.如申请专利范围第22项所述之流体喷射装置的 制造方法,其中该抗化性金属薄膜为金或其合金。 24.如申请专利范围第22项所述之流体喷射装置的 制造方法,其中该抗化性金属薄膜系利用无电镀法 形成。 25.一种流体喷射装置,包括: 一基底,具有一第一表面,且该基底之中具有一流 体通道; 一导电高分子层,形成于该基底之该第一表面上; 一金属结构层,形成于该导电高分子层上,该金属 结构层与该基底之该第一表面间形成一流体腔,且 该导电高分子层与该金属结构层之中具有一喷孔, 与该流体腔连通。 26.如申请专利范围第25项所述之流体喷射装置,其 中更包括形成一加热元件及一驱动电路于该基底 之该第一表面上。 27.如申请专利范围第26项所述之流体喷射装置,其 中该加热元件位于该流体腔中。 28.如申请专利范围第25项所述之流体喷射装置,其 中该导电高分子层为一电镀起始层。 29.如申请专利范围第25项所述之流体喷射装置,其 中该导电高分子层包括环氧树脂、聚亚醯胺、聚 乙炔(polyacetylene)、聚吩(polythiophene)、聚二乙炔( polydiacetylene)、聚对苯撑乙烯(polyparaphenylene)、聚 咯(polypyrrole)、聚双吩(polybithiophene)、聚异 吩(polyisothiophene)、聚嗯基乙烯(polythienylvinylene) 、聚次苯基硫化物(polyphenylenesulfide)、聚苯胺( polyanilines)、聚(3,4-二氧乙基吩)/聚(对苯乙烯磺 酸)(poly(3,4-ethylenedioxy-thiophene)/poly (styrenesulfonate), PEDOT:PSS)或氟代烷基矽烷(fluoroalkylsilane)。 30.如申请专利范围第25项所述之流体喷射装置,其 中该导电高分子层为SU-8。 31.如申请专利范围第30项所述之流体喷射装置,其 中该导电高分子层系感光性材料。 32.如申请专利范围第31项所述之流体喷射装置,其 中该感光性材料为藉由添加光酸产生剂(photo acid generation material, PAG)所形成。 33.如申请专利范围第25项所述之流体喷射装置,其 中该导电高分子层为一具有导电粒子之光阻。 34.如申请专利范围第33项所述之流体喷射装置,其 中该导电粒子包括银、铜、镍或金。 35.如申请专利范围第25项所述之流体喷射装置,其 中该导电高分子层之电阻率范围介于10-2~10-5-cm 。 36.如申请专利范围第25项所述之流体喷射装置,其 中该导电高分子系利用旋转涂布、浇铸或微影/蚀 刻方式形成。 37.如申请专利范围第25项所述之流体喷射装置,其 中该金属结构层包括镍、金或镍钴合金或其组合 。 38.如申请专利范围第25项所述之流体喷射装置,其 中该金属结构层系由金属微电铸或电镀制程形成 。 39.如申请专利范围第25项所述之流体喷射装置,其 中该流体腔与该喷孔及该流体通道连通。 40.如申请专利范围第25项所述之流体喷射装置,更 包括一抗化性金属薄膜,形成于该金属结构层上, 且该抗化性金属薄膜从该金属结构层上表面延伸 至该喷孔内。 41.如申请专利范围第40项所述之流体喷射装置,其 中该抗化性金属薄膜为金或其合金。 42.如申请专利范围第40项所述之流体喷射装置,其 中该抗化性金属薄膜系利用无电镀法形成。 图式简单说明: 第1图为一种习知的流体喷射装置剖面图。 第2a~2i图为本发明之流体喷射装置第一实施例之 一系列制程剖面图。 第3图为本发明之流体喷射装置第二实施例之剖面 图。 第4a~4d图为本发明之流体喷射装置第三实施例之 一系列中间制程剖面图。 |
