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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Programmieren einer Flash-Speichervorrichtung. Gemäß der vorliegenden Erfindung wird, nachdem ein Programmiervorgang beendet worden ist, ein Programmierprüfvorgang wiederholt durchgeführt, wobei auch eine Schwellenspannung einer programmierten Speicherzelle abgetastet wird. Wenn Speicherzellen vorhanden sind, deren Schwellenspannung als ein Resultat der Abtastung gering wird, wird der Programmiervorgang bei einer korrespondierenden Speicherzelle erneut durchgeführt. Es ist somit möglich, eine gleichmäßige Verteilungseigenschaft einer Schwellenspannung zu erhalten. Weiterhin wird ein Programmierprüfvorgang mit einer Vergleichsspannung durchgeführt, die anfänglich höher als eine Sollspannung so eingestellt wird, dass eine Schwellenspannung einer Speicherzelle ausreichend höher als die Sollspannung ist. Der Programmierprüfvorgang wird erneut durchgeführt, während die Vergleichsspannung gemäß der Wiederholzahl erniedrigt wird. Es ist somit möglich zu verhindern, dass in normaler Weise programmierte Zellen erneut übermäßig programmiert werden.
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