发明名称 Polymer für die Immersionslithographie, Photoresistzusammensetzung, die selbiges enthält, Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtung
摘要 Ein Polymer für die Immersionslithographie, umfassend eine Wiederholeinheit, dargestellt durch Formel 1, und eine Photoresistzusammensetzung, die selbiges enthält. Ein Photoresistfilm, der durch die Photoresistzusammensetzung der Erfindung ausgebildet wurde, ist gegenüber Auflösen hoch resistent, ein Photosäurebildner in einer wässrigen Lösung für die Immersionslithographie, wodurch die Verunreinigung einer Belichtungslinse und die Deformierung des Photoresistmusters durch Belichtung verhindert wird.
申请公布号 DE102005060061(A1) 申请公布日期 2006.12.07
申请号 DE20051060061 申请日期 2005.12.15
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 JUNG, JAE CHANG;BOK, CHEOL KYU;LIM, CHANG MOON;MOON, SEUNG CHAN
分类号 C08F222/40;C08F220/10;C08F222/06;C08F232/08;G03F7/039 主分类号 C08F222/40
代理机构 代理人
主权项
地址