| 摘要 |
Es wird eine Halbleitervorrichtung bereitgestellt, die aufweist: eine erste Halbleiterschicht (1, 21); eine zweite Halbleiterschicht (2) auf der ersten Halbleiterschicht (1, 21); eine dritte Halbleiterschicht (3) auf der zweiten Halbleiterschicht (2); eine vierte Halbleiterschicht (4) in einem Teil der dritten Halbleiterschicht (3); einen Graben (5), der durch die vierte Halbleiterschicht (4) und die dritte Halbleiterschicht (3) dringt und die zweite Halbleiterschicht (2) erreicht; einen Gate-Isolierfilm (6) auf einer Innenwand des Grabens (5); eine Gate-Elektrode (7) auf dem Gate-Isolierfilm (6) in dem Graben (5); eine erste Elektrode (8); und eine zweite Elektrode (9). Der Graben (5) weist einen Boden (5a) mit einer gekrümmten Oberfläche auf, die einen Krümmungsradius kleiner oder gleich 0,5 mum besitzt. |
