| 发明名称 | 含有糊精酯化合物的形成下层膜的组合物 | ||
| 摘要 | 本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成光刻用下层膜的组合物，并提供一种光刻用下层膜，其具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成光刻用下层膜的组合物，其含有至少50％的羟基成为酯基的糊精酯化合物、交联性化合物和有机溶剂。 | ||
| 申请公布号 | CN1875324A | 申请公布日期 | 2006.12.06 |
| 申请号 | CN200480031792.3 | 申请日期 | 2004.10.29 |
| 申请人 | 日产化学工业株式会社 | 发明人 | 竹井敏;境田康志;新城彻也 |
| 分类号 | G03F7/11(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F7/11(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 段承恩;田欣 |
| 主权项 | 1.一种含有糊精酯化合物、交联性化合物和有机溶剂的形成下层膜的组合物，所述糊精酯化合物是糊精的至少50％的羟基成为式(1)所示的酯基的糊精酯化合物，<img file="A2004800317920002C1.GIF" wi="781" he="247" />(式中，R<sub>1</sub>是可以被羟基、羧基、氰基、硝基、碳原子数为1～6的烷氧基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子或碳原子数为1～6的烷氧基羰基取代的碳原子数1～10的烷基，或者可以被碳原子数为1～6的烷基、羟基、羧基、氰基、硝基、碳原子数为1～6的烷氧基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子或碳原子数为1～6的烷氧基羰基取代的苯基、萘基或蒽基)。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||