发明名称 |
光刻设备和装置的制作方法 |
摘要 |
本发明涉及一种用来测量光刻投射装置的投射系统中光学元件位置的位移测量系统。该位移测量系统利用干涉测量原理,包括使用安装在光学元件上的第一衍射光栅和安装在基准框架上的第二衍射光栅。 |
申请公布号 |
CN1288506C |
申请公布日期 |
2006.12.06 |
申请号 |
CN03128607.0 |
申请日期 |
2003.03.13 |
申请人 |
ASML荷兰有限公司 |
发明人 |
M·拉文斯伯根 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01);G01B11/04(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
章社杲 |
主权项 |
1.一种光刻投射装置,包括:一辐射系统,用来提供投射辐射束;一支承结构,用来支撑图案化装置,该图案化装置用以根据所需图案来对投射光束形成图案;一基片台,用来固定基片;一至少包括一个光学元件的投射系统,用来将形成图案的光束投射在基片的目标部分上;以及一位移测量系统,用来测量所述至少一个光学元件的位置;其特征在于:所述位移测量系统包括安装在所述至少一个光学元件上的第一衍射光栅和安装在基准框架上相联的第二衍射光栅,其中所述第一和第二衍射光栅中的一个被设置用来接收来自另一个衍射光栅的衍射光。 |
地址 |
荷兰维尔德霍芬 |