| 发明名称 | 在含铜金属化上形成电介质的工艺和电容器装置 | ||
| 摘要 | 本发明说明尤其允许直接将电介质层施加到含铜金属化上的措施。因此，两种工艺气体(26，28)以每单位衬底表面不同的等离子体功率来激发，或者一种工艺气体(26)利用等离子体来激发，而另一工艺气体(28)不被激发。 | ||
| 申请公布号 | CN1875483A | 申请公布日期 | 2006.12.06 |
| 申请号 | CN200480032539.X | 申请日期 | 2004.10.20 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份公司 | 发明人 | A·格施万德特纳;J·霍尔茨;M·施伦克 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L21/318(2006.01);C23C14/06(2006.01);C23C16/34(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢江;梁永 |
| 主权项 | 1.用于在金属化(102)上形成电介质(110)的工艺，该工艺包括以下步骤：在衬底上产生金属化(102)，所述金属化(102)包含作为金属化成分的铜，供应至少两种工艺气体(26，28)，邻近于所述金属化(102)形成所述电介质(110)，所述电介质(110)包含至少两种来自不同工艺气体(26，28)的成分，所述两种工艺气体(26，28)以每单位衬底面积不同的等离子体功率来激发，或者一种工艺气体(26)利用等离子体来激发，而另一种工艺气体(28)不被激发。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||