| 发明名称 | 可抑制寄生双极晶体管的高功率半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种可抑制寄生双极晶体管的高功率半导体装置。其主要包含第一传导型漏极(Drain)区域；形成于该传导型漏极区域上的第一传导型外延(epitaxial)区域；形成于该外延区域表面上的数个第二传导型基底区域；形成于该各基底区域表面上的至少一个第一传导型源极(Source)区域；形成于该各基底区域表面而与该源极区域重叠且至少其一端长于该源极区域一端的源电极(source electrode)接触区域；以及与该源电极接触区域交错设置且设置于该基底区域与该外延区域上的数个栅极(gate)电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1874002A | 申请公布日期 | 2006.12.06 |
| 申请号 | CN200510124128.X | 申请日期 | 2005.11.25 |
| 申请人 | 敦南科技股份有限公司 | 发明人 | 全珖延;李太先;李廷浩;金钟旼;金埈铉 |
| 分类号 | H01L29/772(2006.01);H01L27/085(2006.01) | 主分类号 | H01L29/772(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 梁挥;祁建国 |
| 主权项 | 1、一种可抑制寄生双极晶体管的高功率半导体装置，其特征在于，包括：第一传导型漏极区域；第一传导型外延区域，设置于该第一传导型漏极区域上；数个第二传导型基底区域，形成于该外延区域表面上；至少一个第一传导型源极区域，形成于该各基底区域表面上；其中，该各基底区域表面与该源极区域重迭在一起，且其至少一端长于该源极区域一端的源电极接触区域；以及数个栅极电极，设于该基底区域与该外延区域上、且与该源电极接触区域交错设置。 | ||
| 地址 | 中国台湾台北县 | ||