| 发明名称 | 磁存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可靠性高的磁存储器及其制造方法。在磁轭(5)和感磁层(5b)的磁连接部附近，感磁层(5b)内的磁化的方向紊乱。即，如果读出时起作用的感磁层(5b)中的固定层相对区域的磁化的方向不紊乱，则可靠性提高。所以，在本磁存储器中，使固定层(43、44)的面积(S1)比感磁层(5b)的面积(S2)小，在感磁层(5b)的与固定层相对的部分，形成与其周围的区域相比、磁化的方向相对不紊乱的结构，使数据读出时的可靠性提高。 | ||
| 申请公布号 | CN1873827A | 申请公布日期 | 2006.12.06 |
| 申请号 | CN200610085067.5 | 申请日期 | 2006.05.31 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 古贺启治 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01);H01L27/10(2006.01);H01L43/08(2006.01) | 主分类号 | G11C11/15(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种磁存储器，具有二维排列的多个存储区域，其特征在于：所述多个存储区域分别具有：将感磁层、非磁性层和固定层叠层形成的磁阻效应元件；包围写入配线的外周并产生赋予所述感磁层的磁力线的磁轭；和与所述磁阻效应元件电连接的读出配线，所述固定层的面积比所述感磁层的面积小。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||