发明名称 天线制造方法和半导体装置制造方法
摘要 本发明提供了具有低电阻的天线以及通信距离得到改善的具有天线的半导体装置。将包含导电颗粒的流体涂敷到对象上。在固化包含导电颗粒的流体之后,使用激光辐射该液体以形成天线。使用丝网印刷、旋涂、浸渍、或小滴释放方法,涂敷包含导电颗粒的流体。此外,该激光可使用波长为大于或等于1nm且小于或等于380nm的固体激光器。
申请公布号 CN1874060A 申请公布日期 2006.12.06
申请号 CN200610088604.1 申请日期 2006.05.31
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 青木智幸;山田大干
分类号 H01Q1/00(2006.01);H01Q1/38(2006.01);G06K19/07(2006.01);G06K19/073(2006.01);G06K19/077(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L29/786(2006.01);H05K1/00(2006.01);H05K3/00(2006.01) 主分类号 H01Q1/00(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 张雪梅;梁永
主权项 1.一种天线制造方法,包含:将包含导电颗粒的流体涂敷到对象上;以及通过固化该包含导电颗粒的流体而形成包含导电颗粒的薄膜之后,使用激光照射形成天线。
地址 日本神奈川县厚木市
您可能感兴趣的专利