| 发明名称 | 具有部分硅化的硅层的集成电路 | ||
| 摘要 | 集成电路(1)包括例如电阻器的电器件(2)，其包括具有硅化部分(122)和非硅化部分(123)的第一硅层(120)；以及另外的电器件(3)，例如电容器、场效应晶体管或非易失性存储栅叠层。该另外的电器件(3)包括具有电介质层厚度(D)的电介质层(130)。电器件(2)的非硅化部分(123)被具有电介质层厚度(D)的另外的电介质层(131)覆盖，硅化部分(122)不被另外的电介质层(131)覆盖。这种集成电路(1)可以通过根据本发明的方法来形成，该方法涉及的光刻步骤的数量减少了。 | ||
| 申请公布号 | CN1875457A | 申请公布日期 | 2006.12.06 |
| 申请号 | CN200480032010.8 | 申请日期 | 2004.10.14 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | 亨德里克·H·范德梅尔;威廉默斯·C·M·彼得斯 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L27/06(2006.01);H01L27/01(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、集成电路(1)，包括：电器件(2)，包括具有硅化部分(122)和非硅化部分(123)的第一硅层(120)，以及另外的电器件(3)，该另外的电器件包括具有电介质层厚度(D)的电介质层(130)，其中该电器件的该非硅化部分(123)被具有该电介质层厚度(D)的另外的电介质层(131)覆盖，而该硅化部分(122)不被该另外的电介质层(131)覆盖。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||