发明名称 超大规模集成电路专用纳米硅溶胶的稳定方法
摘要 本发明公开了一种超大规模集成电路专用纳米硅溶胶的稳定方法,旨在提供一种生产工艺简单,稳定性高的高浓度酸性硅溶胶的制备方法。首先采用阳-阴-阳三次离子交换纯化硅溶胶,之后,将交换后的硅溶胶中加入聚醚型非离子表面活性剂,硅溶胶与活性剂的体积比为1000∶1-1000∶10;再在配制好的硅溶胶溶液中加入酸调整pH值即可。本发明的方法既纯化了硅溶胶,又保障了硅溶胶在酸性条件下的稳定性,简化了生产工艺,提高了生产效率。采用本发明的方法设备成本低、生产时间短、能耗低。
申请公布号 CN1872683A 申请公布日期 2006.12.06
申请号 CN200610013971.5 申请日期 2006.05.31
申请人 河北工业大学 发明人 刘玉岭;王娟;张西慧;张建新;刘承霖
分类号 C01B33/158(2006.01);C09G1/02(2006.01) 主分类号 C01B33/158(2006.01)
代理机构 天津市三利专利商标代理有限公司 代理人 肖莉丽
主权项 1、一种超大规模集成电路专用纳米硅溶胶的稳定方法,其特征在于包括以下步骤:(1)首先将3%-10%的盐酸溶液注入阳离子交换树脂进行搅拌,使阳离子交换树脂再生完全,其中盐酸:湿阳离子交换树脂为1.4-1.8毫克当量/毫升,静置分层后将上层溶液去除,再用去离子水冲洗剩余的阳离子交换树脂至其pH值在2-4范围内,得酸性阳离子交换树脂;(2)然后将金属离子含量高于100ppm的碱性硅溶胶在连续搅拌的情况下加入到上述步骤(1)中制得的酸性阳离子交换树脂中,其中,碱性硅溶胶与酸性阳离子交换树脂的物质的量的比为1∶2-1∶5,在搅拌的情况下交换10-60min,同时测定交换溶液的Zeta电位,使其绝对值在30mv-60mv后停止搅拌,静置分层后出料得显酸性的硅溶胶;(3)将3%-10%的氢氧化钠溶液注入阴离子交换树脂中进行搅拌,使阴离子交换树脂再生完全,其中氢氧化钠:湿阴离子交换树脂为1.2-1.6毫克当量/毫升,静置分层后将上层溶液去除,用去离子水冲洗剩余的阴离子交换树脂至其pH值在9-10之间,得到碱性阴离子交换树脂;(4)然后将上述步骤(2)中制得的酸性硅溶胶加入到上述步骤(3)中制得的碱性阴离子交换树脂中,其中,酸性硅溶胶与碱性阴离子交换树脂的物质的量的比为1∶2-1∶5,在搅拌的情况下交换10-60min,同时测定交换溶液的Zeta电位,使其绝对值在30mv-60mv后停止搅拌,静置分层后出料得到显碱性的硅溶胶;(5)再将步骤(4)中制得的交换后的碱性硅溶胶在搅拌的情况下加入到步骤(1)中制得的酸性阳离子交换树脂中,其中,碱性硅溶胶与酸性阳离子交换树脂的物质的量的比为1∶2-1∶5,在搅拌的情况下交换10-60min,同时测定交换溶液的Zeta电位,使其绝对值在30mv-60mv后停止搅拌,静置分层后出料,得到金属离子达到ppb级的显酸性的硅溶胶;(6)将步骤(5)中交换后的硅溶胶中加入聚醚型非离子表面活性剂,其中,硅溶胶与活性剂的体积比为1000∶1-1000∶10;(7)再在配制好的硅溶胶溶液中加入酸调整pH值,便得到纯度高、稳定性好的高浓度酸性硅溶胶。
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