在静电吸盘上吸附半导体晶圆

摘要

本发明旨在于提供一种利用单相方波交流吸附电压将晶圆吸附到静电吸盘上的方法。该方法包含确定用于静电吸盘的单相方波吸附电压，其中的确定操作至少部分地基于晶圆的惯性响应时间。晶圆被放到静电吸盘上，其中静电吸盘和晶圆之间的间隙被限定。接着被施加已确定的单相方波吸附电压，其中晶圆通常在预定的距离内被吸附到静电吸盘上，且通常不让静电电荷量被积累，从而使晶圆的快速释放成为可能。

主权项

1.一种将半导体晶圆吸附到静电吸盘上的方法，包含：确定用于静电吸盘的单相方波吸附电压，其中所述确定至少部分地基于所述晶圆的惯性响应时间；将所述晶圆放到所述静电吸盘上，其中所述晶圆和所述静电吸盘之间的间隙被限定；将已确定单相方波吸附电压施加于所述静电吸盘，以将所述晶圆静电吸附到所述静电吸盘上；以及切断所述已确定单相方波吸附电压，从所述静电吸盘释放所述晶圆。