| 发明名称 | 电光装置和电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种具有高工作性能和可靠性的EL显示装置。开关TFT(201)形成在具有多栅极结构的像素中，多栅极结构是一种把重要性关注在减少关断电流值的结构。而且，电流控制TFT(202)具有比开关TFT更宽的沟道宽度，以制成适合于电流流动的结构。此外，形成有电流控制TFT(202)的LDD区域(33)以便重叠一栅极(35)的一部分，从而制成一种关注于防止热载波信号注入和降低关断电流值的结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1874026A | 申请公布日期 | 2006.12.06 |
| 申请号 | CN200610099717.1 | 申请日期 | 2000.06.03 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;小山润;山本一宇;小沼利光 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01);H01L27/32(2006.01);H05B33/12(2006.01);H05B33/04(2006.01) | 主分类号 | H01L51/50(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张志醒 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：第一基片；在所述第一基片上的EL元件；以及在所述EL元件上的第二基片，其中，所述第二基片通过粘合剂连接到所述第一基片，其中，与所述第一基片相对的所述第二基片包括在第一区域处的第一厚度和在第二区域处的第二厚度，所述第一区域利用粘合剂粘附，以及所述第二区域位于所述第一区域内侧，并且相对于所述第一区域被压低。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||