| 发明名称 | 具有高介电常数与低漏电流特性的金属电容器 | ||
| 摘要 | 一种具有高介电常数与低漏电流特性的金属电容器。位于一基底上的该金属电容器，自基底依序往上至少包括有第一金属层，具有高能隙特性的第一介电层，具有高介电常数的第二介电层，具有高能隙特性的第三介电层，以及第二金属层。 | ||
| 申请公布号 | CN1288756C | 申请公布日期 | 2006.12.06 |
| 申请号 | CN02120269.9 | 申请日期 | 2002.05.17 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 史望澄;丁文琪;李自强;林志贤;王是琦 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01G4/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种具有高介电常数与低漏电流特性的金属电容器，其特征为：该金属电容器至少包括：一第一金属层位于一基底上；具有高能隙特性的一第一介电层位于该金属层上，该第一介电层为氧化铝层；具有高介电常数的一第二介电层位于该第一介电层上，该第二介电层的材质是选自于由Ta2O5、TiO2、ZrO2、HfO2、钛酸锆酸铅与钛酸锶钡所组成的族群；具有高能隙特性的一第三介电层位于该第二介电层上，该第三介电层为氧化铝层；以及一第二金属层位于该第三介电层上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹县园区三路121号 | ||