| 发明名称 | 制造鳍型场效应晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及FinFET结构以及形成FinFET器件的方法。该方法包括：(a)提供半导体衬底(100)；(b)在所述衬底(100)的顶表面(105)上形成电介质层(110)；(c)在所述电介质层(110)的顶表面(115)上形成硅鳍(135)；(d)在所述鳍(135)的至少一个侧壁(150A)上形成保护层(160)；以及(e)在所述鳍(135)的沟道区(175)中从所述至少一个侧壁(150A)去除所述保护层(160)。在第二实施例中，保护层(160)转变为保护间隔物(210A)。 | ||
| 申请公布号 | CN1875482A | 申请公布日期 | 2006.12.06 |
| 申请号 | CN200480032293.6 | 申请日期 | 2004.11.05 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 布伦特·A·安德森;爱德华·J·诺瓦克;杰德·H·兰金 |
| 分类号 | H01L27/01(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L27/01(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种形成FinFET器件的方法，包括：(a)提供半导体衬底；(b)在所述衬底的顶表面上形成电介质层；(c)在所述电介质层的顶表面上形成硅鳍；(d)在所述鳍的至少一个侧壁上形成保护层；以及(e)在所述鳍的沟道区中从所述至少一个侧壁去除所述保护层。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||