| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种低成本和薄厚度的薄膜集成电路，不像常规玻璃基板或单晶硅基板，该薄膜集成电路适于大规模生产，以及一种薄膜集成电路装置或具有该薄膜集成电路的IC芯片的结构和工艺。半导体装置的制造方法包括以下步骤：在硅基板的一个表面上形成第一绝缘薄膜、在该第一绝缘薄膜上形成至少具有两个薄膜集成电路的层、形成覆盖该具有薄膜集成电路的层的树脂层、形成覆盖该树脂层的薄膜、研磨硅基板的形成具有薄膜集成电路的层的一个表面的背面，并抛光硅基板的研磨的表面。 | ||
| 申请公布号 | CN1873950A | 申请公布日期 | 2006.12.06 |
| 申请号 | CN200610088624.9 | 申请日期 | 2006.05.31 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 楠本直人;鹤目卓也 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L27/02(2006.01);H01L29/786(2006.01);G06K19/077(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：在硅基板的第一表面上形成第一绝缘膜；在该第一绝缘膜上形成包括薄膜晶体管的层；在该层上形成薄膜；在形成该薄膜之后，研磨硅基板的第二表面；以及在研磨之后，抛光硅基板的第二表面。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||