| 发明名称 | 发射辐射和/或接收辐射的半导体组件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及发射辐射和/或接收辐射的半导体组件，该组件具有发射辐射和/或接收辐射的半导体芯片以及塑料模制件，该模制件对于由半导体组件待发射和/或待接收的电磁辐射是可穿透的，并且半导体芯片借助该模制件至少部分地再成形，该组件还具有外部的电气端子，这些端子与半导体芯片的电气触点表面电气相连。该塑料模制件由一种反应硬化的硅模制材料构成。此外还说明了制造这种半导体组件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1875491A | 申请公布日期 | 2006.12.06 |
| 申请号 | CN200480032007.6 | 申请日期 | 2004.12.14 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | 赫贝特·布伦纳;哈拉尔德·雅格;约尔格·埃里希·佐尔格 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L31/0203(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王艳江;杨生平 |
| 主权项 | 1.发射辐射和/或接收辐射的半导体组件，该组件具有发射辐射和/或接收辐射的半导体芯片以及塑料模制件，该模制件对于由半导体组件待发射和/或待接收的电磁辐射是可穿透的，并且半导体芯片由该模制件至少部分地再成形，该组件还具有外部的电气端子，这些端子与半导体芯片的电气触点表面电气相连，其特征在于，塑料模制件由一种反应硬化的硅模塑材料构成。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||