半导体装置及其制造方法

摘要

一种薄型化并且适合于高速动作的层叠型半导体装置。在半导体衬底的一面上排列配置形成多个预定电路，按照预定图形依次层叠形成与电路电连接的布线及绝缘层以形成多层布线部，在形成多层布线部的阶段在半导体衬底上形成表面以绝缘膜覆盖的填充电极，在多层布线部的预定布线上形成柱电极，在半导体衬底的一面上形成第1绝缘层，将第1绝缘层的表面去除预定厚度使柱电极露出，研磨半导体衬底的另一面使填充电极露出以形成贯通电极，刻蚀半导体衬底的一面使贯通电极的顶端突出，在贯通电极的顶端露出的状态下在半导体衬底的一面上形成第2绝缘层，在两电极上形成凸起电极，分割半导体衬底以形成半导体装置。利用凸起电极将利用该方法所得的多个半导体装置层叠固定起来制造出层叠型半导体装置。

主权项

1.一种层叠型半导体装置，包括：第1半导体装置，在下表面具有外部电极端子；以及第2半导体装置，电连接到上述第1半导体装置上并固定在上述第1半导体装置上，其特征在于，上述第1半导体装置具有：半导体衬底；在上述半导体衬底的第1主面一侧形成的多个电路元件和包含连接到上述电路元件上的布线的多层布线部；第1绝缘层，覆盖上述多层布线部；第2绝缘层，覆盖上述半导体衬底的第1主面的相反面即第2主面；多个柱电极，在上述多层布线部的各个预定布线上形成并在上述第1绝缘层表面露出；多个贯通电极，从上述多层布线部的预定深度贯通上述半导体衬底及上述第2绝缘层而设置，经由绝缘膜与上述半导体衬底接触并连接到上述多层布线部的各个预定的布线上；以及上述外部电极端子，连接到上述贯通电极上，上述第2半导体装置至少具有：半导体衬底；在上述半导体衬底的第1主面一侧形成的多个电路元件和包含连接到上述电路元件上的布线的多层布线部；第1绝缘层，覆盖上述多层布线部；第2绝缘层，覆盖上述半导体衬底的第1主面的相反面即第2主面；以及柱电极或者多个贯通电极，其中，上述柱电极在上述多层布线部的各个预定布线上形成并在上述第1绝缘层表面露出；上述多个贯通电极从上述多层布线部的预定深度贯通上述半导体衬底及上述第2绝缘层而设置，经由绝缘膜与上述半导体衬底接触并连接到上述多层布线部的各个预定的布线上，上述柱电极或上述贯通电极位于上述第1半导体装置的下表面，在该下表面的上述柱电极或上述贯通电极上设置上述外部电极端子，上述第2半导体装置的下表面的上述贯通电极或上述柱电极经由接合体而电连接到上述第1半导体装置的上表面的上述柱电极或上述贯通电极上。