| 发明名称 | 图案形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种图案形成方法。目的在于：能够防止在浸液光刻中使用的浸液曝光用液体对抗蚀膜的影响，获得具有良好形状的微细图案。在形成在衬底101上的抗蚀膜102上形成可溶于碱的第1阻挡膜103。接着，在形成的第1阻挡膜103上形成不溶于碱的第2阻挡膜104。接着，在将由水构成的液体105提供到第2阻挡膜104上的状态下，透过第2阻挡膜104及第1阻挡膜103对抗蚀膜102选择性地照射曝光光106，进行图案曝光。然后，除去第2阻挡膜104，且通过对已进行了图案曝光的抗蚀膜102进行显像，来除去第1阻挡膜103，同时，由抗蚀膜102形成具有微细图案的抗蚀图案102a。 | ||
| 申请公布号 | CN1873537A | 申请公布日期 | 2006.12.06 |
| 申请号 | CN200610073222.1 | 申请日期 | 2006.04.05 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 远藤政孝;笹子胜 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01);G03F7/26(2006.01);G03F7/42(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种图案形成方法，其特征在于：包括：在衬底上形成抗蚀膜的工序；在上述抗蚀膜上形成可溶于碱的第1阻挡膜的工序；在上述第1阻挡膜上形成不溶于碱的第2阻挡膜的工序；通过在将液体提供到上述第2阻挡膜上的状态下，透过上述第2阻挡膜及上述第1阻挡膜对上述抗蚀膜选择性地照射曝光光来进行图案曝光的工序；将上述第2阻挡膜除去的工序；以及通过对已进行了图案曝光的上述抗蚀膜进行显像，来除去上述第1阻挡膜，同时，由上述抗蚀膜形成抗蚀图案的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||