| 发明名称 | 微结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 传统上形成微机械的微结构是用硅晶片作为主体形成的。考虑到这一点，本发明提供微结构制造方法，其中微结构是在绝缘衬底上形成的。本发明提供的微结构包括含多晶硅的层，该多晶硅是以金属元素用热晶化或激光晶化而晶化的，且该层包括在其上或其下的空间。这样的多晶硅可在绝缘表面上形成并具有高强度，因此，可以用作微结构。作为结果，提供了在绝缘衬底上形成的微结构或提供有微结构的微机械。 | ||
| 申请公布号 | CN1872657A | 申请公布日期 | 2006.12.06 |
| 申请号 | CN200610087708.0 | 申请日期 | 2006.05.31 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山口真弓;泉小波 |
| 分类号 | B81B3/00(2006.01);B81C1/00(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | B81B3/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.一种微结构，包括：在绝缘表面上提供的第一层；和包含在所述第一层上提供的含多晶硅的第二层；和所述第一层和第二层之间的空间；其中所述多晶硅是用金属元素晶化的。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||