具有共享控制栅极的非易失性晶体管对的制造方法

摘要

一对非易失性存储器晶体管与绝缘衬底(11)上的单个多晶硅浮置栅极(23)分隔开。在采用绝缘材料环绕着多晶硅层浮置栅极之后，除了保留在原来浮置栅极横向两侧上的两个剩余部分(21a和21b)之外，刻蚀掉多晶硅层。这些剩余的部分成为一对适用于晶体管对的新的浮置栅极。在刻蚀多晶硅层(23)之前，该多晶硅可用于高掺杂区域(35和37)的自对准设置，其中高掺杂区域可用于两个晶体管的电极。如果单个多晶硅浮置栅极具有制造工艺的最小特征尺寸，则在刻蚀之后所保留的一对多晶硅层剩余部分(21a和21b)就会更小，也许可以小于最小特征尺寸所占的比例。采用这种小尺寸，器件可通过能带与能带之间的隧道作用进行工作，即不再需要较大EEPROM和EPROM器件特征所具有的隧道氧化物层。在多晶硅剩余部分上的单个导电控制电极(53)可以允许两个晶体管作为独立存储器件进行工作，只要位线(83和85)是连接着其它电极的且相位是交替的。

主权项

1.一种具有对称浮置栅极的成对的浮置栅极存储器晶体管的制造方法，该方法包括：在具有一层氧化物覆盖层的半导体衬底上制成浮置多晶硅件；在所述浮置多晶硅件的相对横向侧面的衬底中注入自对准高掺杂区域；采用平面绝缘材料环绕所述浮置多晶硅件；除了相邻所述绝缘材料并且横向分隔开的两个多晶硅剩余部分之外，从所述绝缘材料中刻蚀掉所述浮置多晶硅件，；使得两个横向分隔开的多晶硅剩余部分绝缘；在所述绝缘的横向分隔开的多晶硅剩余部分上沉积一层控制栅极；以及，将所述衬底、控制栅极、浮置栅极和高掺杂区域进行电连接，以便形成两个独立的存储器晶体管。