发明名称 | 电子器件的制造方法和电子器件 | ||
摘要 | 一种微机电系统(MEMS)器件的制造方法,包括在衬底(14)上提供基层(10)和机械层(12),在基层(10)和机械层(12)之间提供牺牲层(16),在牺牲层(16)和衬底(14)之间提供蚀刻停止层(18),以及借助干法化学蚀刻去除牺牲层(16),其中利用含氟的等离子体进行干法化学蚀刻,并且该蚀刻停止层(18)包括基本上不导电的、氟化学剂惰性材料,如HfO<SUB>2</SUB>、ZrO<SUB>2</SUB>、Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>或TiO<SUB>2</SUB>。 | ||
申请公布号 | CN1874955A | 申请公布日期 | 2006.12.06 |
申请号 | CN200480032195.2 | 申请日期 | 2004.10.26 |
申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | J·T·M·范比克;M·J·E·乌勒奈尔斯 |
分类号 | B81B3/00(2006.01) | 主分类号 | B81B3/00(2006.01) |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王庆海;张志醒 |
主权项 | 1.一种包括微机电系统(MEMS)元件的电子器件的制造方法,该MEMS元件包括第一和第二电极,该第二电极可朝着第一电极移动和可从第一电极移动,其方法包括步骤:在衬底(14)的第一侧提供电绝缘材料的蚀刻停止层(18);在衬底(14)的第一侧提供导电材料的基层(10),在基层中限定了第一电极;提供牺牲层(16),其至少覆盖在基层(10)中的第一电极;在牺牲层(16)的顶部上提供导电材料的机械层(12),所述机械层(12)机械地连接至衬底(10);在机械层(12)的顶部上提供掩模(20),其包括到牺牲层(16)的至少一个窗口(21),以及借助干法化学蚀刻去除所述牺牲层(16)的选择区,以便第二电极可朝着第一电极移动和可从第一电极移动,其中使用含氟的等离子体进行所述干法化学蚀刻,且蚀刻停止层(18)包括基本上不导电的、氟化学剂惰性材料。 | ||
地址 | 荷兰艾恩德霍芬 |