发明名称 电子器件的制造方法和电子器件
摘要 一种微机电系统(MEMS)器件的制造方法,包括在衬底(14)上提供基层(10)和机械层(12),在基层(10)和机械层(12)之间提供牺牲层(16),在牺牲层(16)和衬底(14)之间提供蚀刻停止层(18),以及借助干法化学蚀刻去除牺牲层(16),其中利用含氟的等离子体进行干法化学蚀刻,并且该蚀刻停止层(18)包括基本上不导电的、氟化学剂惰性材料,如HfO<SUB>2</SUB>、ZrO<SUB>2</SUB>、Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>或TiO<SUB>2</SUB>。
申请公布号 CN1874955A 申请公布日期 2006.12.06
申请号 CN200480032195.2 申请日期 2004.10.26
申请人 皇家飞利浦电子股份有限公司 发明人 J·T·M·范比克;M·J·E·乌勒奈尔斯
分类号 B81B3/00(2006.01) 主分类号 B81B3/00(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 王庆海;张志醒
主权项 1.一种包括微机电系统(MEMS)元件的电子器件的制造方法,该MEMS元件包括第一和第二电极,该第二电极可朝着第一电极移动和可从第一电极移动,其方法包括步骤:在衬底(14)的第一侧提供电绝缘材料的蚀刻停止层(18);在衬底(14)的第一侧提供导电材料的基层(10),在基层中限定了第一电极;提供牺牲层(16),其至少覆盖在基层(10)中的第一电极;在牺牲层(16)的顶部上提供导电材料的机械层(12),所述机械层(12)机械地连接至衬底(10);在机械层(12)的顶部上提供掩模(20),其包括到牺牲层(16)的至少一个窗口(21),以及借助干法化学蚀刻去除所述牺牲层(16)的选择区,以便第二电极可朝着第一电极移动和可从第一电极移动,其中使用含氟的等离子体进行所述干法化学蚀刻,且蚀刻停止层(18)包括基本上不导电的、氟化学剂惰性材料。
地址 荷兰艾恩德霍芬