| 发明名称 | 高压金属氧化物半导体元件结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种高压金属氧化物半导体元件结构，包括一衬底；一第一离子井，设于该衬底中；一第一场氧化层，包围一漏极区域；一第二场氧化层，包围一源极区域，该第一场氧化层与该第二场氧化层之间为该高压金属氧化物半导体元件的一沟道区域；一栅极氧化层，设于该沟道区域上；一栅极，设于该栅极氧化层上；一第三场氧化层，设于该半导体衬底上，包围该第一场氧化层以及该第二场氧化层，且该第三场氧化层与该第一场氧化层、该第二场氧化层之间是一元件隔离区域；以及一元件隔离掺杂区，设于该元件隔离区域内。 | ||
| 申请公布号 | CN2845173Y | 申请公布日期 | 2006.12.06 |
| 申请号 | CN200520143017.9 | 申请日期 | 2005.11.21 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈锦隆 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种高压金属氧化物半导体元件结构，其特征在于，包括：一半导体衬底；一第一离子井，设于该半导体衬底中，且该第一离子井具有一第一导电性；一第一场氧化层，设于该第一离子井上，且该第一场氧化层包围该高压金属氧化物半导体元件的一漏极区域；一漏极掺杂区，设于该漏极区域内的该半导体衬底中，且该漏极掺杂区具有一第二导电性；一第二场氧化层，设于该第一离子井上，且该第二场氧化层包围该高压金属氧化物半导体元件的一源极区域，其中该第一场氧化层与该第二场氧化层之间为该高压金属氧化物半导体元件的一沟道区域；一源极掺杂区，设于该源极区域内的该半导体衬底中，且该源极掺杂区具有该第二导电性；一栅极氧化层，设于该沟道区域上；一栅极，设于该栅极氧化层上；一第三场氧化层，设于该半导体衬底上，包围该第一场氧化层以及该第二场氧化层，且该第三场氧化层与该第一场氧化层、该第二场氧化层之间是一元件隔离区域；以及一元件隔离掺杂区，设于该元件隔离区域内的该半导体衬底中。 | ||
| 地址 | 台湾新竹科学工业园区 | ||