| 发明名称 | 半导体装置和形成半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 本文公开一种具有双栅电极(60，50)的半导体装置以及形成这种半导体装置的方法。第一金属/硅栅堆和第一栅电介质(40)在第一掺杂区形成。金属/栅堆(60，50)包括第一栅电介质(40)上面的金属部分(50)和金属部分(50)上面的第一栅部分(60)。硅栅(60)和第二栅电介质(40)在第二掺杂区形成。在一种实施例中，第一和第二栅部分是P+掺杂硅锗，而金属部分是TaSiN。在另一实施例中，第一和第二栅部分是N+掺杂的多晶硅，而金属部分是TaSiN。 | ||
| 申请公布号 | CN1288755C | 申请公布日期 | 2006.12.06 |
| 申请号 | CN02809126.4 | 申请日期 | 2002.04.24 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 塔特·恩盖;比施－银·恩古银;维德亚·S·考什克;詹姆斯·K·III·谢弗 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01);H01L21/8238(2006.01);H01L21/8234(2006.01) | 主分类号 | H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体装置的方法，其包括：提供具有第一掺杂区域和第二掺杂区域的半导体衬底；在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区上面提供电介质；提供与所述电介质相接触的金属层；将所述金属层形成图案，以将金属部分留在至少部分所述第一掺杂区之上；在所述金属部分和所述第二掺杂区上形成硅层；以及将所述硅层和金属部分形成图案，以将硅栅留在所述第二掺杂区之上，将金属/硅栅堆留在所述第一掺杂区之上。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||