发明名称 半导体存储器件
摘要 一种半导体存储器件,即使芯片的内部或外部产生的噪声搭载在地址中,也不进行误操作。随着读出放大器的激活(时刻t7、t13)及数据输出操作(时刻t14),除了在内部产生电源噪声以外,还在任意的定时产生来自外部的系统噪声。将从外部输入的地址Address在锁存控制信号LC的上升沿(时刻t10)取入到内部,所以使输入灵敏度控制信号IC在地址时滞期间(时刻t1~t4)后有效(时刻t6~t12)并降低对地址的灵敏度,除去地址中搭载的噪声。此外,在数据输出操作后使锁存控制信号LC下降(时刻t17)。由此,通过解除锁存状态,防止搭载了噪声的地址错误生成地址变化检测信号ATD。
申请公布号 CN1288666C 申请公布日期 2006.12.06
申请号 CN01808436.2 申请日期 2001.04.12
申请人 恩益禧电子股份有限公司 发明人 高桥弘行;园田正俊
分类号 G11C11/407(2006.01) 主分类号 G11C11/407(2006.01)
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 关兆辉;谷慧敏
主权项 1.一种输入电路,按规定时间锁存输入地址信号,具有:输入滤波电路,所述输入地址信号从确定后到至少所述规定定时前,降低相对于所述输入地址信号的噪声灵敏度;以及定时设定电路,根据所述输入地址信号中搭载的噪声影响,控制锁存定时,所述输入地址信号通过所述输入滤波电路后被锁存。
地址 日本神奈川
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