发明名称 半导体制造设备的干洗时期判定系统
摘要 本发明提供一种干洗系统,包括:自动判定装置,根据包括半导体制造设备的累积膜种类信息、累积膜厚信息、批的到达预料时期信息、批的成膜预定膜厚信息、批的紧急度信息、批的后工序设备信息和附带设备动作信息的信息,按照由计算机决定的算法,对于对半导体晶片进行处理的设备、对处理预定的批最佳的设备、实施干洗的设备和维修附带设备的设备自动地进行判定;决定装置,以上述自动判定装置的自动判定为基础,对上述各个设备,进行对半导体晶片的处理的时期、对预定的批进行处理的时期、实施干洗的时期、维修附带设备的时期的决定;输出装置,按照上述决定装置对上述各个时期的决定,输出上述各个设备的下次的处理内容。
申请公布号 CN1288277C 申请公布日期 2006.12.06
申请号 CN02129077.6 申请日期 2002.08.30
申请人 株式会社东芝 发明人 胜井修二;田中正幸;上村昌己;赤堀浩史;水岛一郎;中尾隆;山本明人;齐田繁彦;纲岛祥隆;见方裕一
分类号 C23C16/44(2006.01);H01L21/306(2006.01) 主分类号 C23C16/44(2006.01)
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 陈海红;段承恩
主权项 1.一种半导体制造设备的干洗时期判定系统,该系统中把实施用至少含有卤族气体的清洗气体腐蚀除去已淀积在半导体制造设备的反应室内的淀积膜的干洗的时期,定义为淀积在上述反应室内的淀积膜的累积膜厚不超过预定值的时期,其特征在于包括:自动判定装置,该装置根据包括半导体制造设备的累积膜种类信息、半导体制造设备的累积膜厚信息、批的到达预料时期信息、批的成膜预定膜厚信息、批的紧急度信息、批的后工序设备信息和附带设备动作信息的信息,按照由计算机决定的算法,对于对半导体晶片进行处理的设备、对处理预定的批最佳的设备、实施干洗的设备和维修附带设备的设备自动地进行判定;决定装置,该装置以上述自动判定装置的自动判定为基础,对上述各个设备,进行对半导体晶片的处理的时期、对预定的批进行处理的时期、实施干洗的时期、维修附带设备的时期的决定;输出装置,该装置按照上述决定装置对上述各个时期的决定,输出上述各个设备的下次的处理内容。
地址 日本东京