半导体器件和半导体存储器件

摘要

一种半导体存储器件，包括：在围绕以阵列方式设置的多个存储单元的区域中设置的多个N沟道MOS晶体管，设置间隔取决于所述多个存储单元的间隔，所述多个N沟道MOS晶体管用于驱动所述多个存储单元；和多个虚设晶体管32-j，每个都形成在多个N沟道MOS晶体管30-k中的两个相邻晶体管之间，以便与相邻的N沟道MOS晶体管30共享扩散层，并且每个都具有提供电压的栅电极，用于电绝缘这些相邻的晶体管30-k。

主权项

1.一种半导体器件，其中结构相同的多个元件被设置在一阵列中，该半导体器件包括：多个晶体管，设置在围绕所述设置在阵列中的多个元件的区域中，设置间隔取决于所述多个元件的间隔，所述多个晶体管用于驱动所述多个元件；和多个虚设晶体管，每个虚设晶体管都形成在所述多个晶体管中的两个相邻晶体管之间，以便与相邻的晶体管共享扩散层，并且每个虚设晶体管都具有提供电压的栅电极，用于电绝缘相邻的晶体管。