| 发明名称 | 在绝缘体上硅基底上形成腔结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于在预先制造的硅晶片中形成腔的方法，该硅晶片包括第一硅层(1)、取向为大致平行于所述第一硅层(1)的第二单晶硅层或者所谓的结构层(3)，以及位于所述第一和第二层(1、3)之间的绝缘层(2)。根据该方法，在导电硅层(1、3)中的至少一个中制造延伸通过该层的厚度的窗(4)，以及在绝缘层(2)中由通过所述制造的窗(4)来通过该层的蚀刻剂来蚀刻腔。根据本发明，在窗(4)的制造步骤以后，且在所述蚀刻步骤以前，在要加工的表面上形成薄的多孔层(5)，使得蚀刻剂可以通过所述多孔层进入被蚀刻的所述腔(6)，以及在腔(6)被蚀刻完成以后，沉积至少一层补充层(7)，以便使得所述多孔层的材料不能渗透气体。 | ||
| 申请公布号 | CN1288724C | 申请公布日期 | 2006.12.06 |
| 申请号 | CN02819431.4 | 申请日期 | 2002.09.27 |
| 申请人 | 瓦尔蒂翁特克尼里伦图基穆斯克斯库斯公司 | 发明人 | J·基哈梅基 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01);H01L27/12(2006.01);B81C3/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 章社杲 |
| 主权项 | 1.一种用于在预先制造的硅晶片中形成腔的方法，该硅晶片包括第一硅层(1)、取向为平行于所述第一硅层(1)的第二单晶硅层或者所谓的结构层(3)，以及位于所述第一和第二层(1、3)之间的绝缘层(2)，该方法包括的步骤为：在所述第二硅层(3)中制造延伸通过所述层的厚度的窗(4)，以及在所述绝缘层(2)中由通过所述制造的窗(4)来通过该层的蚀刻剂来蚀刻腔，其特征在于：在所述窗(4)的制造步骤以后，且在所述蚀刻步骤以前，在所述第二硅层(3)的顶部表面上形成薄的多孔层(5)，使得蚀刻剂可以通过所述多孔层进入被蚀刻的所述腔(6)，以及在所述腔(6)被蚀刻完成以后，沉积至少一层补充层(7)，以便使得所述多孔层的材料不能渗透气体。 | ||
| 地址 | 芬兰赫尔辛基 | ||