双层相变化型信息记录介质及其记录方法

摘要

本发明涉及一种可进行多值记录的双层相变化型信息记录介质，各层的擦除比优良，且动态范围也被改善，第一记录层的材料的组成式由Sb_α1Te_β1Ge_γ1M1_δ1表示，第二记录层的材料的组成式由Sb_α2Te_β2Ge_γ2M2_δ2表示。(其中，M1、M2是从Ag、In、Se、Sn、Al、Ti、V、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Bi、Si、Dy、Pd、Pt、Au、S、B、C、P中选择的至少一个元素，α1+β1+γ1+δ1＝α2+β2+γ2+δ2＝100原子％，50≤α1≤75、25≤β1≤40、0＜γ1≤10、0≤δ1≤10、60≤α2≤85、15≤β2≤30、0＜γ2≤10、0≤δ2≤10、β2+γ2＜β1+γ1≤β2+γ2+20)。

主权项

1、一种双层相变化型信息记录介质，按顺序层积第一基板、第一信息层、中间层、第二信息层、及第二基板，从第一基板侧入射激光，进行信息的记录及再生，其特征在于，第一信息层及第二信息层分别具有由光入射而在结晶状态和非晶质状态之间引起相变化，从而可记录信息的记录层，所述第一信息层的作为记录层的第一记录层及第二信息层的作为记录层的第二记录层分别由利用下记组成式表示的材料构成Sbα1Teβ1Geγ1M1δ1(第一记录层)Sbα2Teβ2Geγ2M2x(第二记录层)(其中，M1、M2是从Ag、In、Se、Sn、Al、Ti、V、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Bi、Si、Dy、Pd、Pt、Au、S、B、C、P中选择的至少一种元素，α1、β1、γ1、δ1、α2、β2、γ2及δ2表示原子％，α1+β1+γ1+δ1＝α2+β2+γ2+δ2＝100，50≤α1≤75、25≤β1≤40、0＜γ1≤10、0≤δ1≤10、60≤α2≤85、15≤β2≤30、0＜γ2≤10、0≤δ2≤10、β2+γ2＜β1+γ1≤β2+γ2+20)。