发明名称 半导体装置与其图案设计方法
摘要 本发明的目的在于提高激励器驱动用的半导体装置的加工精度。本发明的半导体装置与其图案设计方法其特征在于构成激励器驱动用的各晶体管,与阴极激励器(11)、阳极激励器(10、12、13、16)以及标记用阳极激励器(14、15)所构成的各个输出比特群的端部相邻接,各自形成模拟图案(3A,3B,3C,3D,3E,3F,3G,3H,3I,3J,3K,3L,3M,3N)。
申请公布号 CN1288754C 申请公布日期 2006.12.06
申请号 CN02106565.9 申请日期 2002.02.28
申请人 三洋电机株式会社 发明人 日野美德;武石直英
分类号 H01L27/00(2006.01);H01L21/82(2006.01);G09G3/00(2006.01) 主分类号 H01L27/00(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 马铁良;王忠忠
主权项 1.一种由多个输出比特排列而成的半导体装置,其特征在于:与输出比特群的端部相邻接地,形成与构成该输出比特的栅电极用布线形状相同的模拟图案。
地址 日本大阪府