发明名称 |
用于改善光刻装置中线宽控制的系统和方法 |
摘要 |
电磁能量从光刻装置的照明光源发射。发射的电磁能量的一部分,通过照明光学模块。照明光学模块包括具有光瞳平面的一维光学变换单元。有可调整孔径的孔径装置,位置邻近于该光瞳平面,使该一维光学变换单元接收的一部分电磁能量,通过孔径装置的孔径。用该孔径装置把通过照明光学模块的电磁能量角分布,作为照明场位置的函数而调整,从而改善光刻装置中的线宽控制。 |
申请公布号 |
CN1288505C |
申请公布日期 |
2006.12.06 |
申请号 |
CN03122237.4 |
申请日期 |
2003.04.23 |
申请人 |
ASML美国公司 |
发明人 |
詹姆斯·G·查考耶尼斯;斯科特·D·考斯顿 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01);G03F9/00(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
蒋世迅 |
主权项 |
1.一种光刻装置,包括:照明光源;照明光学模块,接收所述照明光源发射的电磁能量,所述照明光学模块有部分相干性调整器模块,该部分相干性调整器模块具有形成一个光瞳平面的一维光学变换单元,所述一维光学变换单元具有一个孔径装置,该孔径装置具有一个位置邻近所述一维光学变换单元的光瞳平面的孔径,它改变进入所述一维光学变换单元的沿光轴的电磁能量角分布;掩模版台,位置邻近于所述照明光学模块,其中从所述照明光学模块出射的电磁能量,照亮所述掩模版台夹持的掩模版的一部分;晶片台;和投影光学模块,所具有的像平面邻近于所述晶片台,所述投影光学模块位置邻近于所述掩模版台并邻近于所述晶片台,其中通过所述掩模版台夹持的掩模版的电磁能量,进入所述投影光学模块,并被所述投影光学模块成像在所述晶片台夹持的晶片的光敏基片上,和其中,调整所述孔径装置的孔径形状,以控制邻近于所述晶片台的像平面上的电磁能量角分布。 |
地址 |
美国康涅狄格 |