发明名称 快闪记忆体装置之程式化方法
摘要 本发明系关于一种将一快闪记忆体装置程式化之方法。根据本发明,在完成一程式化操作之后,重复执行一程式化验证操作,其中亦侦测一经程式化之记忆体单元之一临限电压。若该等记忆单元之临限电压在该侦测后之结果系变低,则在一相应记忆体单元上再次执行该程式化操作。因此,可能获取一临限电压之一均匀分配特性。此外,一程式化验证操作系以一经初始设定高于一目标电压之一比较电压执行,使得一记忆体单元之一临限电压充分高于该目标电压。在根据重复数目降低该比较电压之同时,再次执行该程式化验证操作。因此,可能防止正常程式化之单元再次受到过度程式化。
申请公布号 TW200641899 申请公布日期 2006.12.01
申请号 TW094145380 申请日期 2005.12.20
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 朴成济;张丞镐
分类号 G11C16/06(2006.01) 主分类号 G11C16/06(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 韩国