薄膜电晶体、薄膜电晶体面板及其制造方法

摘要

本发明系关于一TFT、一TFT阵列面板、以及该TFT阵列面板之一种制造方法。该TFT阵列面板之一种制造方法包括下列步骤：在一基板上形成彼此隔开之一第一电极与一第二电极、在该基板上形成一包含非晶矽与多晶矽的一矽层、藉由图案化该矽层来形成一半导体、在该半导体上形成一闸极绝缘层、在该闸极绝缘层上形成一在该半导体对面的第三电极、在该第三电极上形成一钝化层、及在该钝化层上形成一图素电极。该TFT阵列面板具有高移动性因为该TFT在该TFT的通道区域包括了多晶矽。