雷文生相转移光罩及其制备方法与制备半导体元件之方法

摘要

本发明之雷文生相转移光罩之制备方法首先形成一金属层于一基板上，再利用微影及蚀刻制程形成复数个开口于该金属层中。之后，利用旋转涂布制程形成一高分子层于该基板上，并利用一电子束照射该高分子层之一预定区域以形成一相转移图案，再去除未被该电子束照射之高分子层。该高分子层可由氢矽酸盐、甲基矽酸盐或混成有机矽烷高分子构成，而去除未被该电子束照射之高分子层可利用一硷性溶液、醇类溶液或乙酸丙酯溶液进行显影制程，其中该硷性溶液系选自氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液及四甲基氢氧化铵溶液构成之群。