一次写入多次读取记忆体

摘要

一种一次写入多次读取记忆体装置(130)系由第一与第二电极(132、138)、该第一与第二电极(132、138)之间的被动层(134)、以及该第一与第二电极之间的主动层(136)组成。该记忆体装置(130)系藉由提供带电体(charged species)从该被动层(134)进入该主动层(136)而被程式化。可将该记忆体装置(130)程式化以具有用于该被程式化之记忆体装置(130)之第一抹除活化能。本发明之方法提供该被程式化之记忆体装置(130)大于该第一抹除活化能之第二抹除活化能。