半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件的制造方法，此方法系先提供一基底，基底上至少已形成有一P型金氧半导体电晶体以及一N型金氧半导体电晶体。于基底上形成介电层，至少覆盖住P型金氧半导体电晶体以及N型金氧半导体电晶体，此介电层具有第一拉伸应力。之后，于基底上形成光阻层，暴露出P型金氧半导体电晶体上之介电层。接着，以光阻层为罩幕，对P型金氧半导体电晶体上之介电层进行离子植入制程，以使此部分之介电层具有第二拉伸应力，其中，第二拉伸应力小于第一拉伸应力。然后，再移除光阻层。