半导体层构造及制造半导体层构造之方法

摘要

本发明之内容系一种半导体层构造，其中包含矽晶圆上之单晶碳化矽层，矽晶圆直径至少为150公厘，该碳化矽层之表面粗糙度至多为0.5奈米均方根，微管密度至多为每平方公分1个，且无晶体生长期间或磊晶沉积期间发生之任何缺陷。本发明之另一内容系一种制造半导体层构造之方法，其中将碳离子植入矽晶圆内之一定深度，之后将该矽晶圆施以热处理，结果，在该矽晶圆内形成一掩埋之单晶碳化矽层及该碳化矽层之上方及下方形成非晶过渡区，之后将上矽层及位于单晶碳化矽层上方之非晶过渡区移除，因此移去单晶碳化矽层，随后将该无遮盖之单晶碳化矽层表面施以化学机械平坦化使表面粗糙度降至低于0.5奈米均方根。