半导体装置之制造方法

摘要

一种半导体装置之制造方法，主要是在矽基板下方形成至少一层以上之第一图案化之高应力层，接着形成半导体装置于该基板上，以及形成至少一层以上之第二图案化之高应力层于该半导体装置上。根据本发明之方法，利用图案化之高应力材料层之应力同时改善同一片晶圆上的PMOS电晶体和NMOS电晶体之特性，进而提升载子的移动率，以使改善电晶体的输出特性。