氮化矽膜之形成方法

摘要

本发明揭示一种形成氮化矽膜之方法，其可在低处理温度下形成具有高膜应力之氮化矽膜。该方法包括以下步骤：(a)将二氯矽烷供给至容纳处理物件之反应室中，从而使来源于二氯矽烷之化学物质作为前驱物吸附在处理物件上；(b)将该化学物质中所含的氯氢化，从而将氯自该化学物质移除；及(c)将氨自由基供给至该反应室中，从而以氨自由基将已移除氯之化学物质氮化而使所生成之氮化矽沉积于该处理物件上，其中将步骤(a)、(b)及(c)以彼顺序重复执行数次，从而在半导体晶圆上形成所需厚度之氮化矽膜。