具低掺杂汲极之低温多晶矽薄膜电晶体制作方法

摘要

一种薄膜电晶体的制作方法包括：a)形成一多晶矽岛于一基板上。b)依序形成一介电层、一金属层与一覆盖层，覆盖于该多晶矽岛上。c)形成一光阻图案层于该覆盖层上，并移除未被该光阻图案层所覆盖之部份该覆盖层及该金属层，且被保留之该覆盖层之同侧边暴露出具有一既定距离之部份该金属层。d)进行一高剂量离子掺杂程序，利用该金属层作为罩幕，使得未被该金属层覆盖之部份该多晶矽岛形成一重掺杂区。e)移除未被保留之该覆盖层所覆盖之部份该金属层。以及f)进行一低剂量离子掺杂程序，利用该金属层作为罩幕，使得未被该金属层覆盖之部份该多晶矽岛形成一轻掺杂区。